[发明专利]簇状半导体加工设备

说明书

技术领域

【0001】本发明通常涉及半导体加工设备，且更具体地涉及具有相对小覆盖区的簇状半导体加工设备。

背景技术

【0002】近年来，在半导体生产中，半导体制造设备上每单位时间所加工晶片的数量(即，生产量)已受到较高关注。提高这种生产量的一种方式是增加附连至半导体制造设备的工艺处理室的数量，并且考虑到使用这些室并行处理，从而增加所加工晶片的数量。

【0003】然而，只要工艺处理室在同一平面上水平地排列，那么增加工艺处理室的数量将增加设备占用的占地面积(即，覆盖区)。这将在有限的空间内减少可以安装的设备的数量。如果工艺处理室在彼此之上垂直地堆叠，那么将降低可维修性。

发明内容

【0004】为了解决上面提到的问题，本发明提供了一种半导体制造设备，其使用了其中具有特殊形状的半导体晶片传递室(transfer chamber)，在一种实施方式中，使通常具有正七边形底座的半导体晶片传递室变形为一种形状，这种形状增加了由两个相邻的半导体晶片工艺处理室所形成的角度，使得即使当半导体晶片工艺处理室的数量增加时，半导体制造设备总宽度的增加可以减到最小。通过增加由两个相邻的半导体晶片工艺处理室所形成的角度，本发明还提供了第二个益处，即增加了相邻半导体晶片工艺处理室之间的间隔，并且从而提高了这些室的可维修性。

【0005】通过利用上述方法，即使当为了提高生产量，通过在同一个平面水平地排列更多工艺处理室而使半导体晶片工艺处理室的数量增加时，使提供将半导体制造设备的总宽度增加减到最小的半导体制造设备变为可能。

【0006】为了概述本发明以及相比相关技术所达到的优点，本发明的某些目的和优点在本公开中被描述。当然，应该理解根据本发明的任何特定实施方式，可能不是必须要达到全部这些目的或者优点。因此例如，本领域技术人员将认识到可以在某种意义上具体化或者实现本发明，其达到了或者最优化了此处所教导的一个优点或者一组优点，而不必须要达到可能在此处教导或提出的其他目的或者优点。

【0007】通过下面优选一种实施方式的细节描述，本发明更多的方面、特征和优点将变得更加明显。

附图说明

【0008】现在，将关于优选一种实施方式的附图来描述本发明的这些和其他特征，所述附图意在说明而并不限制本发明。出于说明性目的，附图被过分简单化且没有按照规定比例。

【0009】图1是传统簇状半导体加工设备的示意图。

【0010】图2是作为比较实施例的簇状半导体加工设备的示意图。

【0011】图3是根据本发明的一种实施方式，簇状半导体加工设备的示意图。

具体实施方式

【0012】本发明将关于优选实施方式被说明。然而，优选实施方式并不意在限制本发明。

【0013】在一种实施方式中，本发明提供了簇状半导体加工设备，其包括：具有多边形底座的晶片操作室，从晶片操作室的轴线方向观察，多边形底座包括晶片工艺处理室的多个侧面和晶片装料/卸料室的两个相邻侧面，所述多个侧面可选地包括用于维修的空侧面，其中从晶片操作室的轴线方向观察，晶片工艺处理室的多个侧面和晶片装料/卸料室的两个相邻侧面中的每一个与通过晶片操作室的轴线和每一个侧面中心的直线相垂直地排列。在一种实施方式中，晶片工艺处理室多个侧面的两个相邻侧面形成了角度A(例如，图3中的角度A3)，角度A是在这样的两条直线之间测量出的，一条直线是通过晶片操作室的轴线和晶片工艺处理室两个相邻侧面之一的中心的直线，另一条直线是通过晶片操作室的轴线和晶片工艺处理室两个相邻侧面另一个的中心的直线，其中角度A大于角度B(例如，图2中的角度A2)，角度B是通过用360°除以总侧面的数量计算得出，这个总侧面是由晶片工艺处理室的多个侧面和晶片装料/卸料室的两个相邻侧面所组成的。在一种实施方式中，距离D1(例如，图3中的距离D1)大于距离D2(例如，图3中的距离D2)，D1是从晶片操作室的轴线到晶片装料/卸料室的两个相邻侧面中的每一个的距离，D2是晶片操作室的轴线到晶片工艺处理室的多个侧面中的每一个的距离。