[发明专利]信息存储装置及其存储数据处理方法有效
申请号: | 200810004832.5 | 申请日: | 2008-02-04 |
公开(公告)号: | CN101251827A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 铃木俊生 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 信息 存储 装置 及其 数据处理 方法 | ||
相关申请的交叉引用
本申请根据在2007年2月19日提交的在先日本专利申请No.2007-038661要求优先权,其全部内容在此引入作为参考。
技术领域
本发明涉及在半导体存储器中存储素材数据等的管理数据的信息存储装置及进行其存储数据的保存管理的存储数据处理方法。
背景技术
将半导体存储器作为记录媒介使用的信息存储装置,例如可多信道同时多路访问和高速随机访问,因此在素材数据等信息内容的记录再生中越来越被广泛普及。尤其是,该信息存储装置没有工作部分,因此具有可靠性较高的优点。
但是,上述信息存储装置的可写入次数比HDD(Hard Disc Drive)等少。因此,当长时间使用半导体存储器来重复进行素材数据的写入、删除时,存在产生不良部位的情况。该不良部位的存在成为妨碍半导体存储器中的数据的正常存储的主要原因。
尤其是,在以往的使用NOR闪存的信息存储装置中,在写入动画时,将该动画的每帧产生的管理数据存储到特定区域。当重复进行动画的写入、擦除时,在信息存储装置中,大量地进行存储在该特定区域的管理数据的写入删除而产生不良部位,因此可能损坏存储器内的信息。
另外,还存在如下例子:当在半导体存储器中设置多个存储区,并在半导体存储器中存储信息时,统计存储的次数,并根据该次数顺序变更存储区,由此实质地增大半导体存储器的存储次数(例如,参照日本特开平11-144478号公报)。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而进行的,其目的在于提供一种可实质地增加半导体存储器的寿命的信息存储装置及其存储数据处理方法。
本发明的信息存储装置,具有:一个或多个非易失性半导体存储器,能够存储素材数据附带的管理数据并以块单位擦除;以及控制部,在上述一个或多个半导体存储器中形成暂时存储上述管理数据工作区域、和保存被存储在上述工作区域中的管理数据的全部或一部分的保存区域,该控制部将上述管理数据写入上述工作区域并监视该工作区域的空容量,在空容量成为小于等于规定值的时刻,将存储在该工作区域中的管理数据移动到上述保存区域中,并开放上述工作区域。
本发明的优点将在下面的说明中举出,并将根据说明的记载而变得明显或由本发明的实践而获知。本发明的优点将通过后面具体做出的例示和组合而实现和获得。
附图说明
结合在说明书中并且构成说明书一部分的附图例示了本发明的实施例,并与上面做出的总体说明以及下面做出的实施例的详细说明一起用来解释本发明的宗旨。
图1是表示本发明的信息存储装置的第1实施方式的概略构成的框图。
图2是表示上述第1实施方式的控制器将管理数据从工作区域11移动到保存区域12时的处理动作的流程图。
图3A是开始向上述第1实施方式的存储部写入管理数据时的示意图。
图3B是表示将达到上述第1实施方式的工作区域11的空容量的阈值的示意图。
图3C是表示管理数据从上述第1实施方式的工作区域11向保存区域12移动的示意图。
图4是表示本发明的信息存储装置的第2实施方式的概略构成的框图。
具体实施方式
以下,参照附图详细说明本发明的实施方式。
(第1实施方式)
图1是表示本发明第1实施方式的信息存储装置的概略构成的框图。此处,是以存储素材为视频数据、存储保存该视频数据的每帧产生的管理数据为例。另外,关于视频数据本身的存储,与本发明没有直接关系,因此在此省略说明。
在图1中,在存储部1中使用能够以块单位擦除的NOR闪存。该NOR闪存与NAND闪存相比,容量较小、成本较高,但是没有位缺失而适合存储管理数据。
控制器2在该存储部1内形成工作区域11和保存区域12,并对该工作区域11和保存区域12执行输入管理数据的写入、读出、擦除。
上述工作区域11从起始地址顺序存储管理数据。并且,当其空容量成为小于等于规定的阈值时,向控制器2输出移动信号。上述保存区域12根据控制器2的指示,保存从工作区域11移动来的管理数据。
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