[发明专利]透光型薄膜太阳能电池模块及其制造方法有效
申请号: | 200810004995.3 | 申请日: | 2008-01-31 |
公开(公告)号: | CN101499438A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | 吴建树;翁得期 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L27/142 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 透光 薄膜 太阳能电池 模块 及其 制造 方法 | ||
1.一种透光型薄膜太阳能电池模块的制造方法,包括:
在不透明基板上形成第一电极材料层;
移除部分该第一电极材料层,以形成将该第一电极材料层分隔成多个带状电极材料层的多条第一Y方向切割道,以及相交于该第一Y方向切割道的多条第一X方向切割道,使该第一电极材料层分隔成第一梳型电极与二维排列的多个第一块状电极;
形成光电转换层,覆盖该不透明基板、该第一电极与部分该第一梳型电极;
移除部分该光电转换层,以于该第一电极上方形成相对平行该第一Y方向切割道的多条第二Y方向切割道;
形成第二电极材料层,覆盖该光电转换层、该第一电极与该不透明基板;
移除部分该第二电极材料层与部分该光电转换层,以形成曝露出该第一块状电极表面以及该不透明基板表面的多条第三Y方向切割道,以及于该第一X方向切割道中形成多条第二X方向切割道,裸露出该不透明基板,使该第二电极材料层分隔成第二梳型电极与二维排列的多个第二块状电极;以及
移除部分该第二X方向切割道以及该第三Y方向切割道所裸露的该不透明基板,以在该不透明基板中形成多个孔洞,该光电转换层在该孔洞周围包覆该第一电极。
2.如权利要求1所述的透光型薄膜太阳能电池模块的制造方法,其中在移除部分该光电转换层以形成该第二Y方向切割道时,还包括于该第一X方向切割道中形成多条第三X方向切割道。
3.如权利要求2所述的透光型薄膜太阳能电池模块的制造方法,其中该第三X方向切割道是利用激光切割方式制备。
4.如权利要求1所述的透光型薄膜太阳能电池模块的制造方法,其中该第一、第二、第三Y方向切割道以及该第一、第二X方向切割道是利用激光切割方式制备。
5.如权利要求1所述的透光型薄膜太阳能电池模块的制造方法,其中该第一电极材料层为透明导电氧化物层或是金属层。
6.如权利要求5所述的透光型薄膜太阳能电池模块的制造方法,其中该透明导电氧化物层的材料包括氧化锌、二氧化锡、氧化铟锡或氧化铟;金属层的材料包括铝、银、铜、钼或其合金。
7.如权利要求1所述的透光型薄膜太阳能电池模块的制造方法,其中该光电转换层为单层结构或堆叠层结构。
8.如权利要求1所述的透光型薄膜太阳能电池模块的制造方法,其中该光电转换层的材料包括非结晶硅及其合金、硫化镉、铜铟镓二硒、铜铟二硒、碲化镉或有机材料。
9.如权利要求1所述的透光型薄膜太阳能电池模块的制造方法,其中该第二电极材料层为透明导电氧化物层。
10.如权利要求9所述的透光型薄膜太阳能电池模块的制造方法,其中该透明导电氧化物层的材料包括氧化锌、二氧化锡、氧化铟锡或氧化铟。
11.如权利要求9所述的透光型薄膜太阳能电池模块的制造方法,其中在该不透明基板中形成该孔洞的方法包括激光切割法或蚀刻法。
12.如权利要求1所述的透光型薄膜太阳能电池模块的制造方法,其中该第二梳型电极的多个梳部之间以及Y方向并排的该第二块状电极之间分别以多个连接部连接。
13.一种透光型薄膜太阳能电池模块,其具有彼此串联的多颗电池配置于不透明基板上,在该电池之间具有多个贯穿该不透明基板的孔洞,该模块包括:
该不透明基板,具有该孔洞;
第一电极,配置在该不透明基板上,且该第一电极是由第一梳型电极与二维排列的多个第一块状电极组成;
第二电极,配置在该第一电极上方,且该第二电极是由第二梳型电极与二维排列的多数块状第二电极组成,该第二梳型电极与该块状第二电极彼此之间裸露出部分该第一块状电极、部分该不透明基板、或该孔洞,
其中该第二梳型电极与该第一梳型电极是以左右方式配置,而该第一、第二块状电极是以平行位移方式配置;以及
光电转换层,配置于该第一电极与该第二电极之间,该光电转换层是由二维排列的多个光电转换材料层所组成,该光电转换层在该孔洞周围包覆该第一电极。
14.如权利要求13所述的透光型薄膜太阳能电池模块,其中该第一电极为透明导电氧化物层或金属层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院,未经财团法人工业技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810004995.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:散热型多穿孔半导体封装构造
- 下一篇:电磁感应灯
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造