[发明专利]化学机械抛光垫有效
| 申请号： | 200810005006.2 | 申请日： | 2008-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN101306517A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | T·T·克韦纳克;A·S·拉文;C·A·福西特;K·A·普莱贡;M·J·库尔普 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | B24C3/28 | 分类号： | B24C3/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈哲锋 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 | ||
1.一种适于对半导体基材、光学基材和磁性基材中的至少一种进行平面化的抛光垫，所述抛光垫的整体极限抗张强度至少为27.6MPa，所述抛光垫包括抛光表面和聚合物基质，所述聚合物基质具有封闭的单元孔，所述抛光表面具有开放的孔，所述封闭的单元孔的平均直径为1-50微米，在抛光表面以下的区域内占抛光垫的1-40体积％，其特征是，指数衰减常数τ为1-10微米，具有用磨料周期性或连续性修整产生的构造，所述磨料的特征半高半宽度W1/2小于或等于τ的数值。
2.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述封闭的单元孔占所述抛光表面之下区域的聚合物基质的2-30体积％。
3.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述聚合物基质包括源自二官能或多官能异氰酸酯的聚合物，所述源自二官能或多官能异氰酸酯的聚合物包括选自以下的至少一种：聚醚脲、聚异氰脲酸酯、聚氨基甲酸酯、聚脲、聚氨基甲酸酯脲、它们的共聚物以及混合物。
4.如权利要求3所述的抛光垫，其特征在于，所述聚合物基质源自固化剂和异氰酸酯封端的聚合物的反应产物，所述固化剂包括使异氰酸酯封端的反应产物固化的固化胺，所述异氰酸酯封端的反应产物的NH2∶NCO化学计量比为90-125％。
5.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述封闭的单元孔的平均直径为10-45μm。
6.一种适于对半导体基材、光学基材和磁性基材中的至少一种进行平面化的抛光垫，所述抛光垫的整体极限抗张强度至少为27.6MPa，所述抛光垫包括抛光表面和聚合物基质，所述聚合物基质具有封闭的单元孔，所述抛光表面具有开放的孔，所述封闭的单元孔的平均直径为1-50微米，在抛光表面以下的区域内占抛光垫的2-30体积％，其特征是，指数衰减常数τ为1-5微米，具有用磨料周期性或连续性修整产生的构造，所述磨料的特征半高半宽度W1/2小于或等于τ的数值。
7.如权利要求6所述的抛光垫，其特征在于，所述封闭的单元孔占所述抛光表面之下区域的聚合物基质的2-25体积％。
8.如权利要求6所述的抛光垫，其特征在于，所述聚合物基质包括源自二官能或多官能异氰酸酯的聚合物，所述源自二官能或多官能异氰酸酯的聚合物包括选自以下的至少一种：聚醚脲、聚异氰脲酸酯、聚氨基甲酸酯、聚脲、聚氨基甲酸酯脲、它们的共聚物以及混合物。
9.如权利要求8所述的抛光垫，其特征在于，所述聚合物基质源自固化剂和异氰酸酯封端的聚合物的反应产物，所述固化剂包括使异氰酸酯封端的反应产物固化的固化胺，所述异氰酸酯封端的反应产物的NH2∶NCO化学计量比为90-125％。
10.如权利要求6所述的抛光垫，其特征在于，所述封闭的单元孔的平均直径为10-45微米。
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