[发明专利]存储装置

权利要求书

1.一种存储装置，包括：

第一导电层；

第二导电层；以及

夹在所述第一导电层和所述第二导电层之间的存储层，

其中，所述存储层具有第一部分和第二部分，这些部分分别至少包含具有导电材料且被有机薄膜覆盖的纳米粒子，

并且，所述第一导电层通过所述第一部分电连接到所述第二导电层，

并且，所述第一部分接触于所述第一导电层以及所述第二导电层，

并且，所述第一部分的侧面被所述第二部分围绕。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述纳米粒子的粒径为1nm以上且200nm以下。

3.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述有机薄膜具有表面活性剂或与所述导电材料形成配位键的物质。

4.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述有机薄膜具有：表面活性剂或与所述导电材料形成配位键的物质；以及还原剂、粘合剂或增塑剂。

5.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述第一部分的形状为柱状或锥状。

6.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述第一部分接触于所述第二部分。

7.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述第一部分不接触于所述第二部分。

8.根据权利要求1所述的存储装置，还包括层，其中该层夹在所述存储层与所述第一导电层或所述第二导电层之间，并且所述层是绝缘层或半导体层。

9.一种存储装置，包括：

第一导电层；

第二导电层；

夹在所述第一导电层和所述第二导电层之间的存储层；以及

晶体管，该晶体管电连接到具有所述第一导电层、所述第二导电层以及所述存储层的存储元件，

其中，所述存储层具有第一部分和第二部分，这些部分分别至少包含具有导电材料且被有机薄膜覆盖的纳米粒子，

并且，所述第一导电层通过所述第一部分电连接到所述第二导电层，

并且，所述第一部分接触于所述第一导电层以及所述第二导电层，

并且，所述第一部分的侧面被所述第二部分围绕。

10.根据权利要求9所述的存储装置，其中所述纳米粒子的粒径为1nm以上且200nm以下。

11.根据权利要求9所述的存储装置，其中所述有机薄膜具有表面活性剂或与所述导电材料形成配位键的物质。

12.根据权利要求9所述的存储装置，其中所述有机薄膜具有：表面活性剂或与所述导电材料形成配位键的物质；以及还原剂、粘合剂或增塑剂。

13.根据权利要求9所述的存储装置，其中所述第一部分的形状为柱状或锥状。

14.根据权利要求9所述的存储装置，其中所述第一部分接触于所述第二部分。

15.根据权利要求9所述的存储装置，其中所述第一部分不接触于所述第二部分。

16.根据权利要求9所述的存储装置，还包括层，其中该层夹在所述存储层与所述第一导电层或所述第二导电层之间，并且所述层是绝缘层或半导体层。

17.一种存储装置，包括：

第一导电层；

第二导电层；以及

夹在所述第一导电层和所述第二导电层之间的存储层，

其中，所述存储层具有第一部分和第二部分，这些部分分别至少包含具有导电材料且被有机薄膜覆盖的纳米粒子，

并且，包含在所述第一部分中的所述纳米粒子被熔接，

并且，所述第一部分接触于所述第一导电层以及所述第二导电层，

并且，所述第一部分的侧面被所述第二部分围绕。

18.根据权利要求17所述的存储装置，其中所述纳米粒子的粒径为1nm以上且200nm以下。

19.根据权利要求17所述的存储装置，其中所述有机薄膜具有表面活性剂或与所述导电材料形成配位键的物质。

20.根据权利要求17所述的存储装置，其中所述有机薄膜具有：表面活性剂或与所述导电材料形成配位键的物质；以及还原剂、粘合剂或增塑剂。