[发明专利]具有较低电流相变化元件的存储元件

权利要求书

1、一种存储装置，其特征在于，该装置包含：

一电极元件；

一相变化层，由具有至少二固态相的一存储材料所形成，且与该电极元件电性接触，以及

一顶电极元件，与该相变化层电性接触于远离该相变化层与该电极之间接触位置的一位置；

从而定义通过该相变化层的一电流路径，其中该路径的至少一部份垂直于该电极元件内的电流路径。

2、根据权利要求1所述的装置，其特征在于，该相变化层具有一介于2至20纳米之间的厚度。

3、根据权利要求1所述的装置，其特征在于，该电极元件接触一存取电路。

4、根据权利要求1所述的装置，其特征在于，该装置进一步包含具有一周围的一阻挡元件，该阻挡元件由一绝缘材料形成，其位置与该电极元件分别在该相变化层的两侧，且该阻挡元件在该相变化层方向的侧向延伸大于电极元件的侧向延伸；以及一位线覆盖于该阻挡元件及该相变化层，其中该侧电极元件是该位线与该靠近该阻挡元件周围的相变化层接触的一部位。

5、根据权利要求1所述的装置，其特征在于，该装置进一步包含一阻挡元件，而该阻挡元件由一绝缘材料形成，其位置与该电极元件分别在该相变化层的两侧，且该阻挡元件在该相变化层方向的侧向延伸大于电极元件的侧向延伸。

6、一种存储装置，其特征在于，该装置包含：

一电极元件；

一相变化层，由具有至少二固态相的一存储材料所形成，且与该电极元件的顶表面电性接触，其中该相变化层具有一介于2至20纳米之间的厚度，以及

一顶电极元件，与该相变化层电性接触于远离该电极元件的顶表面电性接触位置的一位置；

一阻挡元件，而该阻挡元件由一绝缘材料形成，其位置与该电极元件分别在该相变化层的两侧，以及在该相变化层的侧向延伸大于电极元件顶表面，

其中通过该相变化层的该电流路径的至少一部份垂直于该电极元件内的电流路径。

7、根据权利要求6所述的装置，其特征在于，该电极元件接触一存取电路。

8、根据权利要求6所述的装置，其特征在于，该装置进一步包含一位线覆盖于该阻挡元件及该相变化层，其中该侧电极元件是该位线与该靠近该阻挡元件周围的相变化层接触的一部位。

9、一种形成存储装置的方法，其特征在于，该方法包含：

形成一电极元件，而该电极元件一般为瘦长状以及具有一接触表面；

形成一相变化层，而该相变化层一般为平面状，并与该电极元件的接触表面电性接触且具有一介于2至20纳米的厚度，以及其侧向延伸大于该电极元件的侧向延伸；

沉积具有一周围的一阻挡元件，该阻挡元件由一绝缘材料形成，其位置与该电极元件分别在该相变化层的两侧，且该阻挡元件在该相变化层方向的侧向延伸大于电极元件的侧向延伸

提供一电性输出接触位置在靠近该阻挡元件周围的该相变化层的一侧。

10、根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该方法包含形成一位线覆盖于该阻挡元件，以及其与该相变化的侧边接触，其中该输出电性接触位置是与该位线接触于靠近该阻挡元件周围的相变化层的一部位。

11、根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该形成一电极元件步骤进一步包含在一接触位置上形成一柱状电极并耦接于一存取电路元件。