[发明专利]芯片的稳压电路与方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种稳压方法，其是尤指一种芯片的稳压方法。

背景技术

随着芯片集成(System On Chip，SOC)技术的发展及半导体技术不断的进步，金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor，MOSFET)元件由原本的次微米进入深次微米时代，因此芯片的处理速度越来越快，所以如何完全有效地利用芯片内元件，使芯片在有限空间内可完全发挥其功能，一直是半导体业者追求的目标。也因为金属氧化物半导体场效应晶体管元件尺寸越做越小，因此对电压或电流起伏相当敏感，若电压或电流起伏过大则容易造成元件损坏。

为了不使芯片内部的电压过于起伏，通常会在芯片内部设置一个大的稳压电容，如此不但瞬间可以提供电荷给内部的晶体管使用，并且可以减少芯片因为封装而使寄生电感产生电源端与接地端之间的弹跳效应(bounceeffect)，但是，若要设置一个大电容，一般是利用金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极作为稳压电容的效果为最大，如此必须要耗费大的芯片面积。另外一个方法是利用金属和金属之间的电容，但是这种寄生电容的值远较金属氧化物半导体场效应晶体管的电容小，所以并无法真正达到稳压的目的，再另外一种是金属-绝缘体-金属(Metal-Insulator-Metal，MIM)电容，虽然会较利用金属和金属之间的电容来得大。但仍无法和金属氧化物半导体场效应晶体管的电容相比，且会增加制程的复杂度。

因此，如何针对上述问题而提出一种新颖芯片的稳压方法，不仅可避免芯片的电压或电流起伏过大而损坏元件的缺点，又可节省芯片的面积，以节省成本。

发明内容

本发明的主要目的，在于提供一种芯片的稳压方法，其通过未打线的输入输出电路的驱动电路作为稳压电容，以避免芯片因电压或电流起伏过大而损坏元件。

本发明的次要目的，在于提供一种芯片的稳压方法，其通过未打线的输入输出电路的驱动电路作为稳压电容，如此节省芯片的面积，以节省成本。

本发明的芯片的稳压电路，是用于具有未打线接合的至少一输入输出电路的芯片，输入输出电路的驱动电路包括多个晶体管，其稳压方法为导通该些晶体管的至少一的晶体管，以产生稳压电容。其中该些晶体管为串联P型金属氧化物半导体场效应晶体管与N型金属氧化物半导体场效应晶体管，以导通P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)与N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)的其中之一，以产生稳压电容。

本发明提供了一种芯片的稳压电路，包括：输入输出驱动电路，该输入输出驱动电路包括多个晶体管；以及电平电压，用以将该些晶体管的至少一晶体管导通；其中该输入输出驱动电路是该芯片的未打线接合的该输入输出驱动电路。

本发明还提供了一种芯片的稳压方法，该芯片包括至少一未打线接合的输入输出驱动电路，该输入输出驱动电路包括多个晶体管，其稳压方法包括下列步骤：将该些晶体管的至少一晶体管导通；以及将该些晶体管的至少一晶体管关闭。

附图说明

图1为本发明的一较佳实施例的方块图；以及

图2为本发明的一较佳实施例的电路图。

[图号简单说明]

1           芯片

10          第一输入输出电路

20          第二输入输出电路

22          静电放电防护电路

220         P型金属氧化物半导体场效应晶体管

222         N型金属氧化物半导体场效应晶体管

24          输入输出驱动电路

240         P型金属氧化物半导体场效应晶体管

242       N型金属氧化物半导体场效应晶体管

26        输入输出焊垫

28        内部电路

30        第三输入输出电路

40        第一存储器

50        第二存储器

具体实施方式

兹为使贵审查员对本发明的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，谨佐以本发明的实施例及配合详细的说明，此说明如后：