[发明专利]半导体结构及形成该半导体结构的方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

单晶硅层；

所述单晶硅层中的沟道区；

在所述单晶硅层中毗邻所述沟道区的第一注入区，其中所述第一注入区包括非晶化物质；以及

所述单晶硅层中位于所述第一注入区内的包含碳的第二注入区，使得所述第一注入区的第一边缘位于所述第二注入区的第二边缘的外部并介于所述第二边缘和所述沟道区之间，

其中所述碳存在于所述第二注入区中，使得所述第二注入区对于所述沟道区施加预定应力。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述非晶化物质包括锗、氙、氩和硅的至少一种。

3.如权利要求1所述的半导体结构，还包括所述沟道区上方的栅电极，其中所述栅电极没有碳。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述预定应力包括拉应力。

5.如权利要求1所述的半导体结构，还包括所述沟道区上方的栅极叠层，其中所述第二注入区的深度至少为所述栅极叠层的高度的一半。

6.如权利要求1所述的半导体结构，还包括交叠所述第二注入区的第三注入区，其中所述第三注入区包括n型掺杂剂。

7.如权利要求6所述的半导体结构，还包括所述沟道区上方的栅电极，其中所述栅电极包括所述n型掺杂剂，且其中所述栅电极中所述n型掺杂剂的剂量至少与所述第三注入区的深源极/漏极部分中所述n型掺杂剂的剂量一样大。

8.一种半导体结构，包括：

单晶硅层；

n型晶体管，包括：

所述单晶硅层中的第一沟道区；

在所述单晶硅层中毗邻所述第一沟道区的第一注入区，其中所述第一注入区包括非晶化物质；以及

所述单晶硅层中位于所述第一注入区内的包含碳的第二注入区，使得所述第一注入区的第一边缘位于所述第二注入区的第二边缘的外部并介于所述第二边缘和所述第一沟道区之间，

其中所述碳存在于所述第二注入区中，使得所述第二注入区对于所述第一沟道区施加预定应力；以及

毗邻所述n型晶体管的p型晶体管。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其中所述非晶化物质包括锗、氙、氩和硅的至少一种。

10.如权利要求8所述的半导体结构，还包括所述第一沟道区上方的栅电极，其中所述栅电极基本上没有碳。

11.如权利要求8所述的半导体结构，还包括所述第一沟道区上方的栅极叠层，其中所述第二注入区的深度至少为所述栅极叠层的高度的一半。

12.如权利要求8所述的半导体结构，还包括交叠所述第二注入区的第三注入区，其中所述第三注入区包括n型掺杂剂。

13.如权利要求12所述的半导体结构，还包括所述第一沟道区上方的栅电极，其中所述栅电极包括所述n型掺杂剂，且其中所述栅电极内所述n型掺杂剂的剂量至少与所述第三注入区的深源极/漏极部分中所述n型掺杂剂的剂量一样大。

14.如权利要求8所述的半导体结构，其中所述p型晶体管包括所述单晶硅层中的第二沟道区；以及毗邻所述第二沟道区的外延生长区。

15.如权利要求14所述的半导体结构，其中所述外延生长区包括硅锗且对于所述p型晶体管的所述第二沟道区施加压应力。

16.如权利要求15所述的半导体结构，其中所述p型晶体管还包括所述单晶硅层中的第四注入区，所述第四注入区交叠所述外延生长区并包括p型掺杂剂。

17.一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：

提供单晶硅层；

在毗邻沟道区的所述单晶硅层中形成第一注入区和第二注入区，使得所述第二注入区容纳在所述第一注入区内，使得所述第二注入区注入有碳，并使得所述第一注入区注入有非晶化物质，所述非晶化物质使所述第一注入区和所述第二注入区均非晶化；以及

执行退火工艺以使所述第一注入区和所述第二注入区重结晶，

其中存在于所述第二注入区中的所述碳，致使在重结晶时所述第二注入区对于所述沟道区施加预定应力。