[发明专利]半导体装置及引线接合方法

权利要求书

1.一种半导体装置，用引线连接第一接合点和第二接合点之间，其特征在于，包括：

凸出部，将引线折曲叠层形成在第二接合点上，在第一接合点的相反侧包含引线折曲凸部；

引线，从第一接合点侧朝凸出部延伸，接合在凸出部上面，在引线折曲凸部侧包含截面积比引线截面积小的切断面。

2.一种半导体装置，用引线连接第一接合点和第二接合点之间，其特征在于，包括：

凸出部，将引线折曲叠层形成在第二接合点上，在第一接合点侧以及第一接合点的相反侧包含引线折曲凸部；

引线，从第一接合点侧朝凸出部延伸，接合在凸出部上面，在第一接合点的相反侧的引线折曲凸部侧包含截面积比引线截面积小的切断面。

3.根据权利要求1或2中所述的半导体装置，其特征在于：

上述凸出部是将引线折曲叠层在第二接合点上形成，在上面设有包含倾斜面的倾斜楔；

引线沿着倾斜楔与凸出部上面接合。

4.根据权利要求2中所述的半导体装置，其特征在于：

上述凸出部是将引线折曲叠层在第二接合点上形成，设有包含倾斜面的倾斜楔，沿着从第一接合点朝着第二接合点的方向高度变低地倾斜；

引线沿着倾斜楔与凸出部上面接合。

5.根据权利要求1-4中任一个所述的半导体装置，其特征在于：

上述切断面呈弓形截面形状。

6.一种半导体装置，用引线连接第一接合点和第二接合点之间，其特征在于，包括：

凸出部，将引线折曲叠层形成在第二接合点上，在第一接合点的相反侧包含引线折曲凸部；

引线，从第一接合点侧朝凸出部延伸，接合在凸出部上面，在引线折曲凸部侧包含剪切切断面以及截面积比引线截面积小的拉伸切断面。

7.一种半导体装置，用引线连接第一接合点和第二接合点之间，其特征在于，包括：

凸出部，将引线折曲叠层形成在第二接合点上，在第一接合点以及第一接合点的相反侧包含引线折曲凸部；

引线，从第一接合点侧朝凸出部延伸，接合在凸出部上面，在第一接合点的相反侧的引线折曲凸部侧包含剪切切断面以及截面积比引线截面积小的拉伸切断面。

8.根据权利要求6或7中所述的半导体装置，其特征在于：

上述凸出部包括倾斜楔，该倾斜楔含有位于第一接合点侧上面、沿着从第一接合点朝着第二接合点方向高度变低的倾斜面；

引线沿着倾斜楔与凸出部上面接合。

9.根据权利要求7中所述的半导体装置，其特征在于：

上述凸出部包括倾斜楔，该倾斜楔与第一接合点侧的引线折曲凸部邻接，该倾斜楔含有设在其上面、沿着从第一接合点朝着第二接合点方向高度变低的倾斜面；

引线沿着倾斜楔与凸出部上面接合。

10.根据权利要求6-9中任一个所述的半导体装置，其特征在于：

上述剪切切断面与包含第二接合点的半导体装置的面大致平行，拉伸切断面呈弓形截面形状。

11.一种引线接合方法，用引线连接半导体装置的第一接合点和第二接合点之间，其特征在于，包括以下工序：

凸出部形成工序，将引线折曲叠层在第二接合点上，在第一接合点的相反侧形成包含引线折曲凸部的凸出部；

接合工序，从第一接合点朝凸出部使得引线构成环形，使得毛细管的内倒角部位于引线折曲凸部上部，通过毛细管前端的平面部将引线朝凸出部上面挤压，接合引线，同时，通过内倒角部将引线朝引线折曲凸部挤压，形成截面积比引线截面积小的引线压碎部；

切断工序，提升引线，在引线压碎部切断引线。

12.根据权利要求11中所述的引线接合方法，其特征在于：

上述凸出部形成工序包含倾斜楔形成工序，该倾斜楔形成工序是将引线折曲叠层在第二接合点上，通过毛细管前端的平面部挤压引线，形成倾斜楔；

所述接合工序是将引线朝倾斜楔挤压进行接合。

13.根据权利要求11或12中所述的引线接合方法，其特征在于：

上述引线压碎部呈弓形截面形状。