[发明专利]红色表面发射激光器元件、图像形成装置和图像显示设备

权利要求书

1.一种红色表面发射激光器元件，包括：

包括n型半导体多层膜的第一反射器；

包括p型半导体多层膜的第二反射器，所述p型半导体多层膜包括由AlAs或AlGaAs组成的低折射率层以及由AlGaAs组成的高折射率层，并且所述低折射率层和所述高折射率层互相堆叠；

在所述第一反射器和所述第二反射器之间的活性层；

在所述活性层和所述第二反射器之间的掺杂p型半导体间隔层，所述掺杂p型半导体间隔层具有大于等于100nm且小于等于350nm的厚度，并且含有铝、铟和磷；以及

在所述活性层和所述第一反射器之间的掺杂n型半导体间隔层，

其中所述活性层、所述掺杂p型半导体间隔层和所述掺杂n型半导体间隔层构成共振器，且该共振器具有不对称结构，在该不对称结构中，所述活性层在腔长度方向上不位于所述共振器的中央，并且

其中所述掺杂p型半导体间隔层的厚度比所述掺杂n型半导体间隔层的厚度大。

2.根据权利要求1所述的红色表面发射激光器元件，其特征在于，所述掺杂p型半导体间隔层的厚度大于等于150nm且小于等于300nm。

3.根据权利要求1所述的红色表面发射激光器元件，其特征在于，所述掺杂p型半导体间隔层含有Al_xGa_yIn_1-x-yP，其中0.45≤x+y≤0.55，0.25≤x≤0.55，且0≤y≤0.30。

4.根据权利要求1所述的红色表面发射激光器元件，其特征在于，所述掺杂p型半导体间隔层含有Al_xGa_yIn_1-x-yP，其中0.50≤x+y≤0.52，0.35≤x≤0.52，且0≤y≤0.17。

5.根据权利要求1所述的红色表面发射激光器元件，其特征在于，所述第二反射器由具有与GaAs匹配的晶格的半导体材料构成。

6.根据权利要求1所述的红色表面发射激光器元件，其特征在于，所述活性层包括多个活性层。

7.根据权利要求1所述的红色表面发射激光器元件，其特征在于，所述活性层是包括由GaInP构成的层和由AlGaInP构成的层的量子阱活性层。

8.根据权利要求1所述的红色表面发射激光器元件，其特征在于，还包括在所述掺杂p型半导体间隔层和所述活性层之间的另一个间隔层。

9.根据权利要求1所述的红色表面发射激光器元件，其特征在于，包括所述活性层的共振器的腔长度大于等于1.5倍波长且小于等于4倍波长。

10.一种图像形成装置，包括：

根据权利要求1所述的红色表面发射激光器元件；和

偏转器，用于反射从所述激光器元件输出的激光束以进行扫描。

11.根据权利要求10所述的图像形成装置，还包括：

感光构件，其利用由所述偏转器偏转的光束形成静电潜像；

充电器；

显影器；和

定影器。

12.一种图像显示设备，包括：

根据权利要求1所述的红色表面发射激光器元件；以及

偏转器，用于反射从所述激光器元件输出的激光束以进行扫描。