[发明专利]液晶显示面板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810005696.1 申请日: 2008-02-15
公开(公告)号: CN101510030A 公开(公告)日: 2009-08-19
发明(设计)人: 谢志勇;陈建宏 申请(专利权)人: 奇美电子股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;H01L27/12;H01L29/786;H01L21/84;H01L21/60
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 葛宝成;黄小临
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 液晶显示 面板 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种液晶显示面板,包含:

一薄膜晶体管基板,其中,该薄膜晶体管基板还包含:

设置在该薄膜晶体管基板上的一第一扫描线;

一第二扫描线,设置在该薄膜晶体管基板之上且与该第一扫描线平行设置;

多个像素,各所述像素至少包含一第一子像素,该第一子像素设置在该第一扫描线及该第二扫描线之间,且该第一子像素具有一第一薄膜晶体管、一第二薄膜晶体管、一第三薄膜晶体管及一像素电极,该像素电极被区分为一第一区域及一第二区域以显示不同信号,该第一薄膜晶体管分别通过一第一栅极电性连接该第一扫描线及通过一第一漏极连接该第一区域,该第二薄膜晶体管分别通过一第二栅极电性连接该第一扫描线及通过一第二漏极连接该第二区域,该第三薄膜晶体管分别通过一第三栅极电性连接该第二扫描线及通过一第三漏极连接该第二区域;

一数据线用于连接该第一薄膜晶体管的第一源极与第二薄膜晶体管的第二源极;以及

一存储电容线,与该第一扫描线及该第二扫描线平行设置,并与该第三薄膜晶体管的源极等电位的电极对应设置以形成辅助电容,其中,该存储电容线与该第一扫描线的距离大于该存储电容线与该第二扫描线的距离,

其中,当该第一子像素电极的该第一区域的面积小于该第二区域的面积时,该第一薄膜晶体管的第一漏极以及与该第一漏极等电位的一第一电极与该第一扫描线重迭的第一面积和小于该第二薄膜晶体管的第二漏极以及与该第二漏极等电位的另一电极与该第一扫描线重迭的第二面积和且该些重迭的面积不为零。

2.如权利要求1所述的液晶显示面板,其中,当该第一子像素的像素电极的该第一区域的面积小于该第二区域的面积时,所述薄膜晶体管符合以下公式:

Cgd2≥Cgd1

其中,Cgd1是该第一薄膜晶体管的该第一漏极与该第一扫描线间的一寄生电容,Cgd2是该第二薄膜晶体管的该第二漏极与该第一扫描线间的一寄生电 容。

3.如权利要求1所述的液晶显示面板,其中,当该第一子像素的像素电极的该第一区域的面积小于该第二区域的面积时,所述薄膜晶体管符合以下公式:

W2/L2≥W1/L1

其中,W1是该第一薄膜晶体管的一通道宽度,W2是该第二薄膜晶体管的一通道宽度,L1是该第一薄膜晶体管的一通道长度,L2是该第二薄膜晶体管的一通道长度。

4.如权利要求1所述的液晶显示面板,其中,该存储电容线是设置在该像素电极与该第二扫描线之间。

5.如权利要求1所述的液晶显示面板,还包含:

一对向基板,与该薄膜晶体管基板相对而设,该对向基板具有一共同电极,该共同电极与该第一子像素的该第一区域间具有一第一液晶电容,该共同电极与该第一子像素的该第二区域间具有一第二液晶电容;一液晶层,设置在该薄膜晶体管基板及该对向基板之间;以及一图案化金属层,其与该存储电容线相对而设,其中,部分的该图案化金属层与该第一区域电性连接以与该存储电容线形成一第一存储电容、部分的该图案化金属层与该第二区域及该第三薄膜晶体管电性连接以与该存储电容线形成一第二存储电容、及部分的该图案化金属层与该第三薄膜晶体管电性连接以与该存储电容线形成一第一辅助电容及与第一区域形成一第二辅助电容,

其中,在该第一薄膜晶体管和该第二薄膜晶体管的大小设计相同且满足Clc2≥Clc1时,该第一子像素的该第一区域与该第二区域的区域形成比值符合以下公式:

Cst1/Clc1>Cst2/Clc2

其中,Cst1是该第一存储电容,Cst2是该第二存储电容,Clc1是该第一液晶电容,Clc2是该第二液晶电容。

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