[发明专利]虚拟电子熔丝装置和方法

权利要求书

1.一种用于改变虚拟电子熔丝(VEF)的状态的方法，该方法包括以下步骤：

提供多个实际电子熔丝(REF)，它们一起形成VEF，所述VEF中的每个REF最初表现未熔断状态；

通过熔丝编程器熔断所述VEF中的多个REF的一些REF；以及

通过VEF中的检测器检测在VEF中熔断奇数个REF，从而表示VEF表现虚拟熔断状态和虚拟未熔断状态之一，该检测器检测在VEF中熔断偶数个REF，从而表示VEF表现虚拟熔断状态和虚拟未熔断状态中另一种状态。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述熔断步骤包括熔断多个REF中的一个REF，以及

所述检测步骤包括，通过所述检测器检测奇数个熔断REF，从而表示所述VEF表现虚拟熔断状态。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述熔断步骤包括熔断多个REF中的两个REF，以及

所述检测步骤包括，通过检测器检测偶数个熔断REF，从而表示所述VEF表现虚拟未熔断状态。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述熔断步骤包括熔断多个REF中的三个REF，以及

所述检测步骤包括，通过检测器检测奇数个熔断REF，从而表示VEF表现虚拟熔断状态。

5.根据权利要求1所述的方法，包括根据需要继续熔断VEF中的REF，从而改变VEF的虚拟状态，直到VEF中的所有REF均被熔断。

6.一种将信息存储到虚拟电子熔丝(VEF)中的方法，该方法包括以下步骤：

提供虚拟电子熔丝(VEF)的阵列，每个VEF中包括多个实际电子熔丝，其中每个实际电子熔丝最初表现未熔断状态，以使得每个VEF最初表现虚拟未熔断状态；

通过熔丝编程器熔断所述VEF中的某些VEF，从而使所述VEF表现虚拟熔断和虚拟未熔断状态的第一模式，该第一模式对应于第一信息；以及

通过熔丝编程器使得在所述熔断步骤中先前被熔断的VEF中的某些VEF变为未熔断，从而使所述VEF表现对应于第二信息的第二模式。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述熔断步骤包括，通过熔丝编程器熔断特定VEF中的实际电子熔丝，从而将所述特定VEF的状态从虚拟未熔断状态改变为虚拟熔断状态。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述未熔断步骤包括，通过熔丝编程器熔断所述特定VEF中的另一个电子熔丝，从而将所述特定VEF的状态从虚拟熔断状态改变为虚拟未熔断状态。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括通过检测器确定在所述特定VEF中熔断的实际电子熔丝的数量，从而确定该特定VEF是表现虚拟熔断状态还是虚拟未熔断状态。

10.根据权利要求9所述的方法，其中如果所述特定VEF中的熔断实际电子熔丝的数量为奇数，则该特定VEF表现虚拟熔断状态，如果该特定VEF中的熔断实际电子熔丝的数量为偶数，则该特定VEF表现虚拟未熔断状态。

11.一种虚拟电子熔丝(VEF)，包括：

多个实际电子熔丝(REF)；

耦合到所述多个REF的输入端，其接收命令信号以熔断一些所述REF，因此提供多个熔断REF；以及

耦合到所述多个REF的检测器，当熔断REF的数量为偶数时，该检测器表示VEF的虚拟熔断状态和虚拟未熔断状态之一，当熔断REF的数量为奇数时，该检测器表示虚拟熔断状态和虚拟未熔断状态中另一种状态。

12.根据权利要求11所述的VEF，还包括多个熔断电路，每个熔断电路耦合到相应REF。

13.根据权利要求12所述的VEF，还包括用于从熔丝编程器接收命令信号的输入端，其中每个命令信号指示熔断电路熔断耦合到其的所述相应REF。

14.根据权利要求11所述的VEF，其中所述多个REF位于共用半导体晶片上。

15.根据权利要求11所述的VEF，还包括多个检测电路，每个检测电路耦合到相应REF以检测所述相应REF的状态。