[发明专利]光半导体装置

权利要求书

1.一种光半导体装置，其特征在于，

具有：绝缘性的台座；在所述绝缘性的台座的上表面配置的芯片；以及低电压电极，在所述绝缘性的台座的上表面以包围所述芯片的方式配置，

所述芯片具有：第一导电型半导体层；形成在所述第一导电型半导体层的上表面的一部分上的第二导电型半导体区域；覆盖所述第一导电型半导体层以及所述第二导电型半导体区域的上表面的表面保护膜；与所述第一导电型半导体层连接的第一电极；以及第二电极，通过在所述表面保护膜上设置的开口，与所述第二导电型半导体区域连接，对其施加比所述第一电极低的电压，

所述低电压电极被施加比所述第一电极低的电压。

2.如权利要求1的光半导体装置，其特征在于，

所述低电压电极与所述第二电极电连接。

3.如权利要求2的光半导体装置，其特征在于，

还具有连接在所述低电压电极与所述第二电极之间的阻抗为20Ω以上的高阻抗部。

4.一种光半导体装置，其特征在于，具有：

第一导电型半导体层；

形成在所述第一导电型半导体层的上表面的一部分上的第二导电型半导体区域；

覆盖所述第一导电型半导体层以及所述第二导电型半导体区域的上表面的表面保护膜；

与所述第一导电型半导体层连接的第一电极；

第二电极，通过在所述表面保护膜上设置的开口，与所述第二导电型半导体区域连接，对其施加比所述第一电极低的电压；以及

低电压电极，在所述表面保护膜上以包围所述第二电极的方式配置，并且被施加比所述第一电极低的电压。

5.如权利要求4的光半导体装置，其特征在于，

还具有高电压电极，以包围所述第二电极的方式配置在所述低电压电极和所述第二电极之间，对其施加比所述第二电极或者所述低电压电极高的电压。

6.如权利要求4的光半导体装置，其特征在于，

还具有覆盖所述表面保护膜的端部的金属膜。

7.如权利要求4的光半导体装置，其特征在于，

在所述表面保护膜上，以包围所述第二电极的方式在所述低电压电极和所述第二电极之间设置开口，所述第一导电型半导体层从所述开口露出。

8.如权利要求5的光半导体装置，其特征在于，

所述高电压电极与所述第一导电型半导体层电连接。

9.如权利要求4的光半导体装置，其特征在于，

以包围所述第二电极的方式，在所述低电压电极和所述第二电极之间，在所述第一导电型半导体层的表面形成槽，

还具有形成在所述表面保护膜上的用于覆盖所述槽的金属膜。

10.如权利要求9的光半导体装置，其特征在于，

所述金属膜与所述槽的外侧的所述第一导电型半导体层电连接。

11.一种光半导体装置，其特征在于，

具有：绝缘性的台座；在所述绝缘性的台座的上表面配置的芯片；以及高电压电极，在所述绝缘性的台座的上表面以包围所述芯片的方式配置，

所述芯片具有：第一导电型半导体层；形成在所述第一导电型半导体层的上表面的一部分上的第二导电型半导体区域；覆盖所述第一导电型半导体层以及所述第二导电型半导体区域的上表面的表面保护膜；与所述第一导电型半导体层连接的第一电极；以及第二电极，与所述第二导电型半导体区域连接，对其施加比所述第一电极高的电压，

所述高电压电极被施加比所述第一电极高的电压。