[发明专利]先进的磁性随机存取记忆体设计

权利要求书

1.一种集成电路记忆体芯片，包含：

第一记忆胞阵列，包含高速磁性记忆胞阵列；以及

第二记忆胞阵列，紧邻所述第一记忆胞阵列，所述第二记忆胞阵列包含高密度磁性记忆胞阵列。

2.根据权利要求1所述的记忆体芯片，其中就每一磁性阻堆叠，所述每一高速磁性记忆胞与所述每一高密度磁性记忆胞包含切换装置。

3.根据权利要求1所述的记忆体芯片，其中，在所述高速磁性记忆胞与所述高密度磁性记忆胞中的磁性阻堆叠包含磁性穿隧接面堆叠。

4.根据权利要求1所述的记忆体芯片，进一步包含与所述高速记忆体阵列中的磁性记忆胞一起使用的第一阵列逻辑，与所述高密度记忆体阵列中的磁性记忆胞一起使用的第二控制阵列逻辑。

5.根据权利要求4所述的记忆体芯片，进一步包含接合所述高速记忆体阵列与所述第一阵列逻辑的第一组导线，以及接合所述高密度记忆体阵列与所述第二阵列逻辑的第二组导线。

6.根据权利要求5所述的记忆体芯片，其中，所述第一组导线与所述第二组导线每一个包含至少一位线、字线与程式线。

7.根据权利要求5所述的记忆体芯片，其中，所述第一组导线与所述第二组导线共有至少一类型的导线。

8.一种集成电路记忆体芯片，包含：

第一记忆胞阵列，包含高速磁性记忆胞阵列，其中就磁性阻堆叠，每一所述高速磁性记忆胞包含切换装置；

第二记忆胞阵列，紧邻所述第一记忆胞阵列，所述第二记忆胞阵列包含高密度磁性记忆胞阵列，其中就每至少两个磁性阻堆叠，每一所述高密度磁性记忆胞包含切换装置；

与所述高速记忆体阵列中的磁性记忆胞一起使用的第一阵列逻辑；

与所述高密度记忆体阵列中的磁性记忆胞一起使用的第二控制阵列逻辑；

接合所述高速记忆体阵列与所述第一阵列逻辑的第一组导线；以及

接合与所述高密度记忆体阵列与所述第二阵列逻辑的第二组导线。

9.一种集成电路记忆体芯片，包含：

第一记忆胞阵列，包含高速磁性记忆胞阵列，其中就每一磁性阻堆叠，每一所述高速磁性记忆胞包含至少一切换装置；

第二记忆胞阵列，紧邻所述第一记忆胞阵列，所述第二记忆胞阵列包含高密度磁性记忆胞阵列，其中就每至少两个磁性阻堆叠，每一所述高密度磁性记忆胞包含切换装置；

与所述高速记忆体阵列中的磁性记忆胞与所述高密度记忆体阵列中的磁性记忆胞一起使用的阵列逻辑；

接合所述高速记忆体阵列与所述阵列逻辑的第一组导线；以及

接合所述高密度记忆体阵列与所述阵列逻辑的第二组导线。

10.根据权利要求9所述的记忆体芯片，其中，所述阵列逻辑进一步包含与所述高速记忆体阵列中的磁性记忆胞一起使用的第一阵列逻辑，以及另外与所述高密度记忆体阵列中的磁性记忆胞一起使用的第二阵列逻辑。