[发明专利]具有晶粒容纳孔洞的晶圆级影像传感器封装与其方法无效
申请号: | 200810006264.2 | 申请日: | 2008-02-05 |
公开(公告)号: | CN101246897A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
发明(设计)人: | 杨文焜;张瑞贤;林志伟;周昭男 | 申请(专利权)人: | 育霈科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/48;H01L23/28;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56 |
代理公司: | 北京挺立专利事务所 | 代理人: | 叶树明 |
地址: | 中国台湾新竹湖*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 晶粒 容纳 孔洞 晶圆级 影像 传感器 封装 与其 方法 | ||
1.一种影像传感器结构,其特征在于:其包含:
一基底,具有一晶粒容纳孔洞形成在该基底的上表面及一通孔结构穿过其中,一终端接垫形成在该通孔结构下方以及
一导电布线形成在该基底的下表面上;
一具微镜区域之晶粒以黏着方式配置在该晶粒容纳孔洞中;
一介电层形成在该晶粒与该基底上;
一重布层(RDL)形成在该介电层上,其中该重布层经由该通孔结构耦合至该晶粒与该终端接垫;
其中该介电层具有一开口一露出该微镜区域。
2.如权利要求1所述之结构,其特征在于:更包含导电凸块耦合至该终端接垫。
3.如权利要求1所述之结构,其特征在于:其中该介电层含有一弹性介电层与感光层。
4.如权利要求1所述之结构,其特征在于:其中该介电层包含一以硅酮为主的介电材料、BCB(苯环丁烯)、PI(聚亚酰胺);该以硅酮为主的介电材料包含硅氧烷聚合物(SINR)、氧化硅、氮化硅或其中之组成物。
5.如权利要求1所述之结构,其特征在于:其中该重布层是从该晶粒位置处往外扩散(fan out)。
6.如权利要求1所述之结构,其特征在于:其中该基底之材质包含环氧树脂类的FR5与FR4、BT、PCB、金属、合金、合金42(42%镍-58%铁)、Kovar合金(29%镍-17%钴-54%铁)、玻璃、硅材与陶瓷。
7.如权利要求1所述之结构,其特征在于:更包含一保护介电层形成在该基底的下表面上以覆盖该导电布线;一保护层形成在该微镜区域上以保护微透镜不受杂质粒子污染;及一可过滤红外线之透明覆盖层形成在该微镜区域的上方,其中该保护层具有斥水斥油之性质。
8.一种形成半导体组件封装之方法,其特征在于:其包含:提供一基底,其具有一晶粒容纳孔洞形成在该基底的上表面及一通孔结构穿过其中,一终端接垫形成在该通孔结构下方,而该基底含有一导电布线形成在该基底的下表面上;
使用一取置精细对准系统(pick and place system)来将好的晶粒在工具上依适当的间距进行重布;
将该基底黏在该晶粒背面,并施行固化步骤将该晶粒与工具分离;
在该基底上镀上一层介电材料并施以真空处理;
形成该基底内的通孔结构、微镜区域及输出入接垫(I/Opad);
将晶种层以溅镀方式形成在该介电层、通孔结构与该输出入接垫上方;
在该介电层上形成重布层金属;
在该重布层上方形成一上介电层;及
在该上介电层中形成开口以露出该微镜区域。
9.如权利要求8所述之方法,其特征在于:其中该影像传感器晶粒具有一保护层形成在该微镜区域上以保护微透镜不受杂质粒子污染。
10.如权利要求8所述之方法,其特征在于:更包合在該微鐿區域上方形成一可過濾紅外线之透明覆盖层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于育霈科技股份有限公司,未经育霈科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810006264.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体结构与半导体芯片
- 下一篇:细胞贮藏介质
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的