[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括下述步骤：

(a)准备在主面上形成了多个电极且在所述多个电极上涂敷了焊料的配线基板；

(b)使用氢气与干燥空气的混合气体，使所述配线基板的所述多个电极上的焊料燃烧；

(c)将具有多个表面电极且在所述多个表面电极上接合了金凸块的半导体芯片配置到所述配线基板的主面上，然后，对所述焊料进行加热，使所述焊料熔融，连接所述金凸块与所述焊料，将所述半导体芯片倒装焊接到所述配线基板上；和

(d)在所述半导体芯片与所述配线基板之间填充填底胶。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述(b)步骤中，在形成燃烧用的火焰的喷灯与所述配线基板之间，隔着遮罩进行氢燃烧。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

当在所述(b)步骤中进行燃烧时，使形成燃烧用的火焰的喷灯在所述配线基板上来回移动多次，逐渐地对所述配线基板的焊料进行加热。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述(c)步骤中的金凸块-焊接连接时的温度环境中，进行所述(d)步骤的填底胶的填充。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在连接所述金凸块与所述焊料后，在所述金凸块与所述焊料的界面上形成AuSn₂以上的合金层。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在连接所述金凸块与所述焊料后，在所述金凸块与所述焊料的界面上形成熔点超过260℃的AuSn合金层。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述(b)步骤中，通过燃烧来除去附着在所述焊料上的碳。

8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述(b)步骤中，以使所述配线基板的表面温度达到160～170℃的方式进行燃烧。

9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括下述步骤：

(a)准备在主面上形成了多个电极且在所述多个电极上涂敷了焊料的配线基板；

(b)将所述配线基板配置在所需的环境内，在所述环境内形成第一Ar等离子体以除去所述配线基板的主面的污物；

(c)在所述(b)步骤之后，使用氢气与干燥空气的混合气体，使所述配线基板的所述多个电极上的焊料燃烧；

(d)将具有多个表面电极且在所述多个表面电极上接合了金凸块的第一半导体芯片配置到所述配线基板的主面上，然后，对所述焊料进行加热，使所述焊料熔融，连接所述金凸块与所述焊料，将所述第一半导体芯片倒装焊接到所述配线基板上；

(e)在所述第一半导体芯片与所述配线基板之间填充填底胶；

(f)使第二半导体芯片的主面朝向上方，将所述第二半导体芯片搭载到所述第一半导体芯片上；

(g)将所述配线基板配置在所需的环境内，在所述环境内形成第二Ar等离子体以除去所述配线基板的主面的多个接合引线的污物；和

(h)在所述(g)步骤之后，通过各导电性的导线来电连接所述第二半导体芯片的主面的多个表面电极与所述配线基板的主面的所述多个接合引线。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

用以形成所述(b)步骤的所述第一Ar等离子体的输出功率，小于用以形成所述(g)步骤的所述第二Ar等离子体的输出功率。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述(b)步骤中施加所述第一Ar等离子体的时间，短于在所述(g)步骤中施加所述第二Ar等离子体的时间。

12.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述(c)步骤中，在形成燃烧用的火焰的喷灯与所述配线基板之间，隔着遮罩进行氢燃烧。

13.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

当在所述(c)步骤中进行燃烧时，使形成燃烧用的火焰的喷灯在所述配线基板上来回移动多次，逐渐地对所述配线基板的焊料进行加热。

14.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述(c)步骤中，以使所述配线基板的表面温度达到160～170℃的方式进行所述氢燃烧。