[发明专利]用于控制流到处理腔室的气流的方法和装置有效
申请号: | 200810006331.0 | 申请日: | 2008-02-26 |
公开(公告)号: | CN101256936A | 公开(公告)日: | 2008-09-03 |
发明(设计)人: | 埃兹拉·罗伯特·古德;理查德·查尔斯·福韦尔;詹姆斯·帕特里克·克鲁斯;贾里德·阿曼德·李;布拉诺·杰夫林;小道格拉斯·亚瑟·布赫伯格;马丁·杰弗里·萨利纳斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;C23C16/455;C30B25/14;H01J37/08;H01J37/317;H01J37/32;F17D1/04;F17D3/01;G05D7/06 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 控制 处理 气流 方法 装置 | ||
1、一种用于将气体输送到半导体处理系统的装置,包含:
多个气体输入管道,其中每个输入管道具有入口;
多个气体输出管道,其中每个输出管道具有出口;
多个连接管道,每个连接管道耦接各自一对气体输入管道和气体输出管道;
多个连接阀,每个连接阀配置为控制经过各自连接管道的流量;以及
多个气体质量流量控制器,每个气体质量流量控制器配置以控制进入各自入口的流量。
2、根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述连接阀以栅格图案排列,同时所述入口沿着所述栅格的第一轴排列并且所述出口沿着所述栅格的第二轴排列。
3、根据权利要求1所述的装置,其特征在于,多个连接管道为一个整体部件。
4、根据权利要求3所述的装置,其特征在于,进一步包含:
第二整体部件,其耦接到第一整体部件;所述第二整体部件具有以栅格图案排列的连接阀,其中所述第二整体部件的入口沿着所述栅格的第一轴排列,并且所述第二整体部件的出口沿着所述栅格的第二轴排列。
5、根据权利要求1所述的装置,其特征在于,进一步包含:
校准管路,耦接到至少一个出口。
6、根据权利要求1所述的装置,其特征在于,进一步包含:
至少一个感应器,其与所述气体输出管道、所述气体输入管道或所述连接管道中至少一个接口,所述至少一个感应器配置为提供表示流量、压力或化学物质的度量。
7、根据权利要求1所述的装置,其特征在于,进一步包含:
至少两个可调阀,耦接到所述输出口的第一输出口,所述可调阀配置为划分来自所述第一输出口的流量。
8、根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述至少一个连接阀进一步包含:
至少两个可调阀,配置为划分来自两个或多个出口之间的一个输入口的流量。
9、根据权利要求8所述的装置,其特征在于,进一步包含:
校准管路,配置为用于校准所述可调阀的有效开口面积,所述校准是通过测量经过所述阀的流量同时保持经过所述阀的临界(超声速)流量实现的。
10、根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述出口中至少之一耦接到旁通所述处理系统的设备排气装置。
11、根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述校准管路进一步包含:
流量限制器,具有类似于所述处理系统的流量限制。
12、根据权利要求1所述的装置,其特征在于,进一步包含:
耦接到所述出口中至少之一的存储容器。
13、根据权利要求12所述的装置,其特征在于,进一步包含:
至少一个感应器,配置为提供所述存储容器内的流量、压力或化学物质的度量。
14、根据权利要求12所述的装置,其特征在于,所述存储容器进一步包含:
连接到所述处理系统的至少一个出口。
15、根据权利要求12所述的装置,其特征在于,所述存储容器进一步包含:
连接到第二处理系统的第二出口。
16、根据权利要求12所述的装置,其特征在于,所述存储容器的所述入口还耦接到所述处理系统。
17、根据权利要求12所述的装置,其特征在于,所述存储容器的至少一个出口经过以第二栅格图案排列的第二组连接阀而连接到所述处理系统,其中所述第二栅格图案的入口沿着所述第二栅格图案的第一轴排列,并且所述第二栅格图案的出口沿着所述第二栅格图案的第二轴排列。
18、根据权利要求12所述的装置,其特征在于,所述存储容器的出口经过质量流量控制器而连接到所述半导体处理系统。
19、根据权利要求12所述的装置,其特征在于,所述存储容器的出口和所述气体输出管道的所述出口中至少一个出口连接到通往所述半导体处理系统的公共入口。
20、根据权利要求12所述的装置,其特征在于,所述存储容器连接到至少两个分离的半导体处理系统。
21、根据权利要求12所述的装置,其特征在于,进一步包含:
二位阀,其流体耦接在所述存储罐和设备排气装置之间,所述二位阀可在完全关闭、预设限制和完全打开之间转换。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造