[发明专利]吸收层备选及应用技术无效
申请号: | 200810006378.7 | 申请日: | 2008-02-29 |
公开(公告)号: | CN101256938A | 公开(公告)日: | 2008-09-03 |
发明(设计)人: | 约瑟夫·M·拉内什;布鲁斯·E·亚当斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吸收 备选 应用技术 | ||
1、一种用于处理衬底的方法,其特征在于,所述方法包括:
在所述衬底的上表面沉积吸收层,其中所述衬底保持在第一温度下;
在热处理腔室退火所述衬底,其中将所述衬底加热到第二温度,并且所述第二温度高于所述第一温度;以及
从所述衬底上移除所述吸收层。
2、根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述吸收层包括无定形碳、炭黑、石墨炭黑、精细研磨的石墨、富勒烯、改进的富勒烯或几者的组合。
3、根据权利要求2所述的方法,其特征在于,沉积所述吸收层包括:
在悬浮剂中悬浮无定形碳、炭黑、石墨炭黑、精细研磨的石墨、富勒烯、改进的富勒烯中的一种或几者的组合以形成悬浮物;以及
在所述衬底上表面分配所述悬浮物,同时旋转所述衬底以横跨所述衬底形成所述悬浮物的涂层;以及
从所述悬浮物的涂层移除悬浮剂。
4、根据权利要求2所述的方法,其特征在于,沉积所述吸收层包括在所述衬底上表面电泳地沉积无定形碳、炭黑、石墨炭黑、精细研磨的石墨、富勒烯、改进的富勒烯中的一种或几者的组合。
5、根据权利要求3所述的方法,其特征在于,沉积所述吸收层包括在所述衬底上表面静电地沉积无定形碳、炭黑、石墨炭黑、精细研磨的石墨、富勒烯、改进的富勒烯中的一种或几者的组合。
6、根据权利要求1所述的方法,其特征在于,沉积所述吸收层包括利用物理气相沉积在所述衬底的上表面沉积无定形碳。
7、根据权利要求1所述的方法,其特征在于,沉积所述吸收层包括横跨所述衬底上表面触发烟熏火焰。
8、根据权利要求1所述的方法,其特征在于,退火所述衬底包括利用快速热处理退火所述衬底。
9、根据权利要求1所述的方法,其特征在于,退火所述衬底包括利用动态表面退火来退火所述衬底。
10、根据权利要求1所述的方法,其特征在于,移除所述吸收层包括向所述热处理腔室提供氧化剂。
11、根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述氧化剂包括臭氧、或来自远程等离子源的氧等离子中的一种。
12、根据权利要求1所述的方法,其特征在于,移除所述吸收层包括利用超声源清洁所述衬底。
13、根据权利要求12所述的方法,其特征在于,移除所述吸收层还包括将液态氧化剂施加到所述衬底。
14、根据权利要求1所述的方法,其特征在于,退火所述衬底包括通过热处理工艺、动态表面退火工艺、或所述热处理工艺和所述动态表面退火工艺的结合来加热所述衬底。
15、一种用于退火衬底的方法,其特征在于,该方法包含:
在低于退火温度的低温下在衬底上沉积吸收层,其中所述吸收层包括耐高于所述退火温度的高温的碳;
将至少部分衬底快速加热到所述退火温度;以及
从所述衬底移除所述吸收层。
16、根据权利要求15所述的方法,其特征在于,所述吸收层包含炭黑。
17、根据权利要求15所述的方法,其特征在于,所述吸收层包含石墨炭黑。
18、根据权利要求15所述的方法,其特征在于,沉积所述吸收层包括:
在液态媒介中悬浮所述高温碳;
使用其中具有高温碳的液态媒介在所述衬底上形成涂层;以及
从所述衬底的涂层中移除所述液态媒介。
19、根据权利要求15所述的方法,其特征在于,沉积所述吸收层包括利用物理气相沉积来沉积无定形碳层。
20、根据权利要求15所述的方法,其特征在于,沉积所述吸收层包括在所述衬底上电泳地沉积高温碳层。
21、根据权利要求15所述的方法,其特征在于,沉积所述吸收层包括在所述衬底上静电地沉积高温碳层。
22、根据权利要求15所述的方法,其特征在于,还包含将静电力施加到所述衬底上,同时将至少部分衬底快速加热到所述退火温度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造