[发明专利]垂直结构的半导体外延薄膜封装

权利要求书

1.一种封装管壳，其特征在于，所述的封装管壳包括：至少一个第一金属基座，至少一个第二金属基座和绝缘支架；所述的第一金属基座和第二金属基座分别包括第一主表面和第二主表面；所述的绝缘支架包括第一主表面和第二主表面；所述的绝缘支架的第一主表面和第二主表面分别与所述的第一金属基座和第二金属基座的第一主表面和第二主表面有相同的方向；所述的封装管壳包括第一主表面和第二主表面；所述的封装管壳的第一主表面和第二主表面分别由所述的第一金属基座、第二金属基座和绝缘支架的第一主表面和第二主表面构成；所述的绝缘支架的第一主表面与第一金属基座和第二金属基座的第一主表面基本在同一平面；所述的第一金属基座和第二金属基座互相电绝缘，所述的第一金属基座和第二金属基座将分别与外界电源的两个电极电联接；所述的绝缘支架把所述的第一和第二金属基座固定在预定的位置。

2.一种垂直结构半导体外延薄膜封装，其特征在于，所述的垂直结构半导体外延薄膜封装包括：

*一个封装管壳；其中，所述的封装管壳包括：至少一个第一金属基座，至少一个第二金属基座和绝缘支架；所述的第一金属基座和第二金属基座分别包括第一主表面和第二主表面；所述的绝缘支架包括第一主表面和第二主表面；所述的绝缘支架的第一主表面和第二主表面分别与所述的第一金属基座和第二金属基座的第一主表面和第二主表面有相同的方向；所述的封装管壳包括第一主表面和第二主表面；所述的封装管壳的第一主表面和第二主表面分别由所述的第一金属基座、第二金属基座和绝缘支架的第一主表面和第二主表面构成；所述的第一金属基座和第二金属基座互相电绝缘，所述的第一金属基座和第二金属基座将分别与外界电源的两个电极电联接；所述的绝缘支架把所述的第一和第二金属基座固定在预定的位置；

*至少一个半导体外延薄膜；所述的半导体外延薄膜包括：第一类型限制层，活化层和第二类型限制层；所述的活化层层叠在所述的第一类型限制层和所述的第二类型限制层之间；

*导电反射/欧姆/键合层；所述的导电反射/欧姆/键合层层叠在所述的半导体外延薄膜的第二类型限制层与所述的第一金属基座的第一主表面之间。

*一个钝化层；所述的钝化层层叠在所述的封装管壳的第一主表面和所述的半导体外延薄膜的第一类型限制层上；所述的钝化层在所述的半导体外延薄膜的第一类型限制层的上方和所述的对应的第二金属基座的第一主表面的上方的预定的位置上具有窗口；

*图形化的电极；其中，所述的图形化的电极通过所述的钝化层在所述的半导体外延薄膜的第一类型限制层上的窗口，层叠在所述的半导体外延薄膜的第一类型限制层上，并向所述的对应的第二金属基座的第一主表面延伸，通过所述的钝化层在所述的对应的第二金属基座的第一主表面的窗口，层叠在所述的对应的第二金属基座的第一主表面上，使得所述的半导体外延薄膜的第一类型限制层通过所述的图形化电极与所述的对应的第二金属基座电联接。

3.权利要求2的垂直结构半导体外延薄膜封装，其特征在于，所述的半导体外延薄膜的材料是从一组材料中选出，该组材料包括：(1)氮化镓基材料，即，元素镓、铝、铟、氮等的二元系、三元系和四元系材料；所述的氮化镓基的二元系、三元系和四元系材料包括，GaN，AlGaN，GaInN，AlGaInN；所述的氮化镓基外延层的晶体平面包括：c-平面，a-平面，m-平面；(2)磷化镓基材料，即，元素镓、铝、铟、磷的二元系，三元系和四元系材料；所述的磷化镓基的二元系、三元系和四元系材料包括，GaP，AlGaP，GaInP，AlGaInP；(3)镓氮磷基材料，即，元素镓、铝、铟、氮、磷等的二元系、三元系、四元系和五元系材料；所述的镓氮磷的二元系、三元系、四元系和五元系材料包括，GaNP，AlGaNP，GaInNP，AlGaInNP；(4)氧化锌基材料，包括，ZnO；所述的半导体外延薄膜的活化层的结构是从一组结构中选出，该组结构包括：体，单量子阱，多量子阱，量子点，量子线。

4.权利要求2的垂直结构半导体外延薄膜封装，其特征在于，所述的半导体外延薄膜的第一类型限制层的表面和/或钝化层的表面被粗化或形成光子晶体结构以便提高光取出效率。

5.权利要求2的垂直结构半导体外延薄膜封装，其特征在于，所述的半导体外延薄膜的第一类型限制层和/或钝化层被蚀刻出图形化的沟槽以便提高光取出效率。