[发明专利]显示装置、其驱动方法以及具有其的电子设备

说明书

相关申请的交叉参考

本发明包含于2007年1月26日向日本专利局所提交的日本专利申请JP 2007-015965和于2007年2月2日向日本专利局所提交的日本专利申请JP 2007-023892的主题，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及显示装置、其驱动方法以及电子设备。本发明尤其涉及具有包括以矩阵形式配置的光电元件的像素的平板显示装置、其驱动方法和具有该显示装置的电子设备。

背景技术

在图像显示装置领域中，近些年已经看到具有包括以矩阵形式配置的发光元件的像素的平板显示装置的开发和商业化。在这种显示装置中，有机EL显示装置使用有机EL(电致发光)元件作为像素的发光元件。有机EL元件是其发光亮度随流经该元件的电流的变化而变化的所谓电流驱动光电元件的实例。有机EL元件依赖于当对其施加电场时其有机膜发光的现象。

有机EL显示装置提供较低的功耗，这归因于它们的有机EL元件可被10V以下的施加电压驱动。此外，有机EL元件是自发光的。与被设计成对于包括液晶单元的每个像素通过使用该单元控制来自光源(背光)的光强来显示图像的液晶显示装置相比，这提供了若干优点。这些优点包括高图像可视性、无需背光和元件的高响应速度。

与液晶显示装置相同，有机EL显示装置可被无源或有源矩阵驱动。然而，应当注意，虽然无源矩阵显示装置结构比较简单，但其具有包括难以实现大尺寸、高清晰度显示装置的缺点。因此，有源矩阵显示装置的开发近些年已经开始活跃。在这种显示装置中，流经光电元件的电流被设置在诸如绝缘栅极电场效应晶体管(通常是TFT(薄膜晶体管))的相同像素电路中的有源元件控制。

顺便提及，有机EL元件的I-V特性(电流-电压特性)通常认为随时间而劣化(所谓的长期劣化)。在使用N沟道TFT作为用于通过电流驱动有机EL元件的晶体管(下文中被描述为“驱动晶体管”)的像素电路中，有机EL元件被连接至驱动晶体管的源极。因此，有机EL元件的I-V特性的长期劣化导致驱动晶体管的栅极-源极电压Vgs的改变，由此改变有机EL元件的发光亮度。

以下将给出其更详细的描述。驱动晶体管的源极电位由驱动晶体管和有机EL元件的工作点确定。在有机EL元件的I-V特性劣化的情况下，其工作点发生改变。即使将相同的电位施加到驱动晶体管的栅极，这也会导致驱动晶体管源极电位的变化。因此，驱动晶体管的栅极-源极电压Vgs改变，从而改变流经驱动晶体管的电流。这改变了流经有机EL元件的电流，从而改变其发光亮度。

另一方面，对于使用多晶硅TFT的像素电路，除有机EL元件的I-V特性的长期劣化，驱动晶体管的阈值电压Vth和组成驱动晶体管沟道的半导体薄膜的迁移率μ随时间发生变化。此外，由于制造工艺的改变(即，不同的晶体管呈现不同的特性)，所以不同像素之间的阈值电压Vth和迁移率μ会有所不同。在驱动晶体管的阈值电压Vth或迁移率μ不同的情况下，流经驱动晶体管的电流改变。即使将相同的电压施加到驱动晶体管的栅极，这也导会致不同像素之间有机EL元件发光亮度的改变，由此削弱屏幕上的均匀性。

为此，每个像素电路都具有多种补偿和校正功能以确保即使在有机EL元件的I-V特性长期劣化或驱动晶体管的阈值电压Vth或迁移率μ长期变化的情况下，有机EL元件的发光亮度保持恒定(例如，参见日本专利公开第2006-133542号，其在下文中称为专利文献1)。一种功能是用于补偿有机EL元件的特性变化的补偿功能。另一种功能是用于校正驱动晶体管的阈值电压Vth变化的校正功能(下文中称为“阈值校正”)。又一功能是用于校正驱动晶体管迁移率μ的校正功能(下文中称为“迁移率校正”)。

发明内容

在专利文献1描述的背景技术中，每个像素电路都具有用于补偿有机EL元件特性变化的补偿功能和用于校正驱动晶体管的阈值电压Vth和迁移率μ的变化的校正功能。因此，即使在有机EL元件的I-V特性长期劣化或驱动晶体管的阈值电压Vth或迁移率μ长期变化的情况下，有机EL元件的发光亮度保持恒定。然而，每个像素电路都包括大量元件，由此造成降低像素尺寸的难度。

降低元件数和组成像素电路的互连(interconnection)的可能方案是确保可以改变提供给像素电路的驱动晶体管的电源电位。以这种方式，驱动晶体管能够通过改变电源电位来控制有机EL元件的发光和非发光周期。因此，可以省略用于控制发光和非发光周期的晶体管。