[发明专利]具有晶粒接收凹孔之晶圆级影像传感器封装结构及其方法无效
申请号: | 200810007253.6 | 申请日: | 2008-02-20 |
公开(公告)号: | CN101252141A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 杨文焜;张瑞贤;王东传 | 申请(专利权)人: | 育霈科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/48;H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 北京挺立专利事务所 | 代理人: | 叶树明 |
地址: | 中国台湾新竹湖*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 晶粒 接收 晶圆级 影像 传感器 封装 结构 及其 方法 | ||
1.一种影像传感器封装结构,其特征在于:包含:
一基板,其具有形成于该基板之上层内之一晶粒接收凹孔,其中终端垫系形成于该基板之上表面上;
一晶粒,其具有一微透镜区域且黏置于该晶粒接收凹孔内;
一介电层,其形成于该晶粒及该基板上;以及
一重分布导电层,其形成于该介电层上,其中该重分布导电层系耦合至该终端垫,其中该介电层具有一开孔以暴露该微透镜区域。
2.根据权利请求1所述之影像传感器封装结构,其特征在于:还包含一导电球,其耦合至该终端垫。
3.根据权利请求1所述之影像传感器封装结构,其特征在于:其中该介电层包含一弹性介电层或一感光层。
4.根据权利请求1所述之影像传感器封装结构,其特征在于:其中该介电层之材料包含含硅介电型材料、苯环丁烯(BCB)或聚亚酰胺(PI),其中该含硅介电型材料包含硅氧烷聚合物(SINR)、道康宁(Dow Corning)WL5000系列或其结合。
5.根据权利请求1所述之影像传感器封装结构,其特征在于:其中该重分布导电层之材料包含钛和铜和金合金或钛和铜和镍和金合金。
6.根据权利请求1所述之影像传感器封装结构,其特征在于:其中该基板之材料包含环氧型耐高温玻璃纤维板(FR5)、玻璃纤维板(FR4)、双马来酰亚胺三氮杂苯树脂(BT)、印刷电路板(PCB)、合金、金属、玻璃、硅或陶瓷,其中该合金包含镍铁合金(Alloy42)(42%镍-58%铁)或柯弗合金(Kover)(29%镍-17%钴-54%铁)。
7.根据权利请求1所述之影像传感器封装结构,其特征在于,还包含一保护层,其形成于该微透镜区域上以保护微透镜免于粒子污染,其中该保护层之材料包含二氧化硅、三氧化铝或氟聚合物,其中该保护层具有防水及防油性。
8.根据权利请求1所述之影像传感器封装结构,其特征在于:还包含一透明盖,其涂布有红外线滤光片且形成于该微透镜区域之上。
9.一种用于形成半导体组件封装之方法,其特征在于:包含:
提供一基板,其具有形成于该基板之上层内之晶粒接收凹孔,其中终端垫系形成于该基板之上表面上;
利用取放精密对准系统重分布已知良好之影像传感器芯片于工具上,使其具期望之间距;
附着黏胶材料于晶粒背侧上;
结合该基板至该晶粒背侧上,固化该黏胶材料,分离该工具,涂布介电材料于该基板上以及施行真空程序;
开启连通结构、微透镜区域及输出入焊垫;
溅镀种子金属层于该介电层、该连通结构及该输出入焊垫上;
形成重分布金属层于该介电层上;
形成顶端保护层于该重分布金属层上;以及
开启该顶端保护层以开启该微透镜区域。
10.根据权利请求9所述之用于形成半导体组件封装之方法,其特征在于:还包含形成透明盖,其涂布有红外线滤光片且设置于该微透镜区域上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于育霈科技股份有限公司,未经育霈科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810007253.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:方形管的激光切割方法
- 下一篇:一种生物染整技术
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的