[发明专利]用于沉积由混合物组成并具有预定折射率的层的方法和系统

权利要求书

1.一种用于沉积由混合物组成并具有预定折射率的层的溅射沉积系统，包括：

真空室；

直流DC电源；

基片，其在所述真空室中；

多个靶阴极，其在所述真空室中，其中，每个靶阴极包括具有不同成分的靶材料，其 中，所述多个靶阴极被并联到所述DC电源的负导线，使得所述多个靶阴极仅由所述 DC电源供电，其中，所述DC电源被配置来将相同的阴极电压同时施加于每个靶阴极， 以及其中，所述多个靶阴极被配置，以将它们共溅射从而在所述基片上沉积由混合物组 成的层；以及

控制器，其被配置来调节所述多个靶阴极的操作参数，以使所述层具有所述预定折 射率。

2.如权利要求1所述的溅射沉积系统，其中，所述每个靶阴极包含具有不同折射 率的靶材料。

3.如权利要求1所述的溅射沉积系统，其中，所述DC电源是脉冲DC电源。

4.如权利要求1所述的溅射沉积系统，其中，所述基片被设置于基片架上，所述 基片架被配置，使得所述基片架移动以将所述基片均匀暴露于每个靶阴极。

5.如权利要求1所述的溅射沉积系统，其中，所述操作参数是阴极功率、阴极电 压或阴极电流。

6.如权利要求1所述的溅射沉积系统，其中，所述多个靶阴极被设置于阴极架上， 以及其中，所述操作参数是所述阴极架和所述基片的夹角。

7.如权利要求1所述的溅射沉积系统，还包括供气系统，其被配置来将反应气体 引入所述真空室，其中，所述操作参数是所述反应气体的流率。

8.如权利要求1所述的溅射沉积系统，还包括供气系统，其被配置来将反应气体 引入所述真空室，其中，所述反应气体是氧气，以及其中，所述多个靶阴极由一个包含 钽的靶阴极和一个包含硅的靶阴极所组成。

9.如权利要求1所述的溅射沉积系统，其中，所述控制器被配置来将操作参数基 本上调节为常数，以使所述层具有相似的成分和单一的预定折射率。

10.如权利要求1所述的溅射沉积系统，其中，所述控制器被配置来将操作参数调 节为具有多个值，以使所述层具有多种成分并沿所述层的厚度具有多个预定折射率。

11.如权利要求1所述的溅射沉积系统还包括椭偏仪，所述椭偏仪被配置来测量所 述层的实际折射率，其中，所述控制器被配置来调节所述操作参数，从而保证所述实际 折射率和所述预定折射率基本上相等。

12.如权利要求1所述的溅射沉积系统，还包括接口，其将所述操作参数的参考值 提供给所述控制器，其中，所述控制器被配置来将所述操作参数调节为所述参考值。

13.如权利要求12所述的溅射沉积系统，其中，所述接口被配置，以根据折射率 对所述操作参数的依赖关系，来确定所述操作参数的所述参考值。

14.一种在溅射沉积系统中沉积由混合物组成并具有预定折射率的层的方法，包括：

提供真空室；

提供DC电源；

在所述真空室中提供基片；

在所述真空室中提供多个靶阴极，其中，每个靶阴极包括不同成分的靶材料，以及 其中，所述多个靶阴极被并联到所述DC电源的负导线，使得所述多个靶阴极仅由所述 DC电源供电；

通过将所述DC电源提供的相同的阴极电压同时施加于每个靶阴极，共溅射所述多 个靶材料，以在所述基片上沉积由混合物组成的层；以及

调节所述多个靶阴极的操作参数，从而使所述层具有所述预定折射率。

15.如权利要求14所述的方法，其中，所述基片位于基片架上，所述方法还包括 以下步骤：移动所述基片架以将所述基片均匀暴露于每个靶阴极。

16.如权利要求14所述的方法，其中，所述操作参数是阴极功率、阴极电压或阴 极电流。