[发明专利]发光二极管装置

权利要求书

1.一种发光二极管装置，其特征在于其至少包括：

一基板，其中该基板的一表面上设有依序堆叠的一缓冲层以及一未掺 杂氮化铟铝镓层；

一第一导电型氮化铟铝镓层，设于该未掺杂氮化铟铝镓层上；

一活性层，设于该第一导电型氮化铟铝镓层的一表面的一部分上，并暴 露出该第一导电型氮化铟铝镓层的该表面的另一部分；

一第二导电型氮化铟铝镓层，设于该活性层上；

一透光氮氧化物结构，具有相对的一第一表面与一第二表面，且该第 一表面接合于该第二导电型氮化铟铝镓层的一表面上，其中该透光氮氧化 物结构为一折射系数渐变式结构，且该透光氮氧化物结构的折射系数从该 第一表面朝该第二表面的方向递减；

一第一导电型接触电极，设于该第一导电型氮化铟铝镓层的暴露部分 的一部分上；以及

一第二导电型接触电极，设于该透光氮氧化物结构的该第二表面的一 部分上，

其中该透光氮氧化物结构是由多个透光薄膜所堆叠而成，

该透光薄膜包括依序堆叠在该第二导电型氮化铟铝镓层的该表面上的 一高阻值的氮化物薄膜、一可导电的氧化物薄膜以及另一可导电的氧化物 薄膜，且该高阻值的氮化物薄膜设有至少一接触孔，且该接触孔暴露出该 第二导电型氮化铟铝镓层的该表面的一部分，该可导电的氧化物薄膜填充 于该接触孔中，使得该透光氮氧化物结构与该第二导电型氮化铟铝镓层电 性导通，或

该透光薄膜包括依序堆叠在该第二导电型氮化铟铝镓层的该表面上的 该可导电的氧化物薄膜、该高阻值的氮化物薄膜以及该另一可导电的氧化 物薄膜，且该高阻值的氮化物薄膜设有至少一接触孔，且该接触孔暴露出 该可导电的氧化物薄膜的一部分，该另一可导电的氧化物薄膜填充于该接 触孔中，使得该透光氮氧化物结构与该第二导电型氮化铟铝镓层电性导通。

2.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于其中所述的透 光薄膜的折射系数小于第二导电型接触层。

3.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于其中所述的高 阻值的氮化物薄膜的材料是选自于由氮化硅与氮化钛所组成的一族群，并 且该可导电的氧化物薄膜与该另一可导电的氧化物薄膜的材料是选自于由 掺杂铟的氧化锌、氧化铟锡、氧化铟、氧化锡、氧化铟镓、氧化铟铈、 氧化锌铝、氧化锌、氧化钛铟、氧化锌镓、掺氧化钇的氧化锌铝、以及掺 氧化钇的氧化锌镓所组成的一族群。

4.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于其中所述的高 阻值的氮化物薄膜为一氮化硅薄膜、该可导电的氧化物薄膜为一掺杂铟的 氧化锌薄膜、以及该另一可导电的氧化物薄膜为一氧化铟锡薄膜。