[发明专利]影像感测器的封装结构及其制造方法无效
申请号: | 200810008024.6 | 申请日: | 2008-03-03 |
公开(公告)号: | CN101527268A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
发明(设计)人: | 萨文志 | 申请(专利权)人: | 启萌科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/58;H01L27/146 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿 宁;张华辉 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 感测器 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1、一种影像感测器的封装结构的制造方法,该封装结构包括一玻璃电路板及一感测晶片,该玻璃电路板具有多个第一连接垫,该感测晶片具有多个第二连接垫,其特征在于该制造方法包括以下步骤:
对位该玻璃电路板及该感测晶片,使所述第二连接垫及所述第一连接垫对应设置;
在该玻璃电路板与该感测晶片之间形成一非导电胶;以及
对所述第一连接垫及所述第二连接垫进行激光焊接,使所述第一连接垫及所述第二连接垫电性连接。
2、根据权利要求1所述的影像感测器的封装结构的制造方法,其特征在于所述的非导电胶为一非导电胶糊,该制造方法还包括:
预固化该非导电胶糊。
3、根据权利要求1所述的影像感测器的封装结构的制造方法,其特征在于所述的非导电胶为一非导电胶膜。
4、根据权利要求1所述的影像感测器的封装结构的制造方法,其特征在于所述的非导电胶设置有一排气口,该制造方法还包括:
经由该排气口进行抽气。
5、根据权利要求4所述的影像感测器的封装结构的制造方法,其特征在于,在抽气完后还包括:
藉由一封止体封止该排气口。
6、根据权利要求1所述的影像感测器的封装结构的制造方法,其特征在于所述的玻璃电路板更具有至少一凸坝,该非导电胶形成于该凸坝之外,使该凸坝、该感测晶片及该玻璃电路板之间具有一间隙。
7、根据权利要求1所述的影像感测器的封装结构的制造方法,其特征在于所述的感测晶片具有一感测区与该玻璃电路板相对而设,该制造方法还包括:
设置一透光胶于该感测区与该玻璃电路板之间。
8、根据权利要求1所述的影像感测器的封装结构的制造方法,其特征在于所述的激光焊接以一激光光束对该玻璃电路板、所述第一连接垫、所述第二连接垫及存在于所述第一连接垫与所述第二连接垫之间的该非导电胶该进行激光焊接。
9、根据权利要求1所述的影像感测器的封装结构的制造方法,其特征在于还包括:
在各所述第一连接垫上或各所述第二连接垫上形成一导电凸块。
10、根据权利要求1所述的影像感测器的封装结构的制造方法,其特征在于还包括:
将该玻璃电路板与一电路板电性连接。
11、一种影像感测器的封装结构,其特征在于包括:
一玻璃电路板,具有多个第一连接垫;
一感测晶片,具有多个第二连接垫,所述第二连接垫与所述第一连接垫对应设置;以及
一非导电胶,设置于该玻璃电路板与该感测晶片之间,所述第一连接垫及所述第二连接垫经过激光焊接,使所述第一连接垫及所述第二连接垫电性连接。
12、根据权利要求11所述的影像感测器的封装结构,其特征在于所述的感测晶片为一电荷耦合元件或一互补金属氧化半导体元件。
13、根据权利要求11所述的影像感测器的封装结构,其特征在于所述的非导电胶为一非导电胶糊或一非导电胶膜。
14、根据权利要求11所述的影像感测器的封装结构,其特征在于所述的玻璃电路板更具有至少一凸坝,该非导电胶设置于该凸坝之外,使该凸坝、该感测晶片及该玻璃电路板之间具有一间隙。
15、根据权利要求11所述的影像感测器的封装结构,其特征在于所述的感测晶片具有一感测区与该玻璃电路板相对而设,该封装结构还包括:
一透光胶,设置于该感测区与该玻璃电路之间。
16、根据权利要求11所述的影像感测器的封装结构,其特征在于还包括:
多个导电凸块,分别设置于各所述第一连接垫或各所述第二连接垫。
17、根据权利要求16所述的影像感测器的封装结构,其特征在于所述的激光焊接以激光光束穿透该玻璃电路板、并照射所述第一连接垫、所述导电凸块及所述第二连接垫。
18、根据权利要求11所述的影像感测器的封装结构,其特征在于还包括:
一电路板,设置于该玻璃电路板上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造