[发明专利]一次性可编程单元和具有该单元的存储设备

权利要求书

1.一种一次性可编程单元，包括：

第一金属氧化物半导体MOS晶体管，配置成响应读控制信号而在第一节点和第二节点之间形成电流路径；

第二MOS晶体管，配置成响应写控制信号而在第三节点和所述第二节点之间形成电流路径；以及

反熔丝，连接在所述第二节点和地电压端子之间，其中施加到所述第二节点的电压作为输出信号被输出。

2.根据权利要求1所述的一次性可编程单元，其中所述第一MOS晶体管是第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管具有接收所述读控制信号的栅极、连接到所述第一节点的源极和连接到所述第二节点的漏极。

3.根据权利要求1所述的一次性可编程单元，其中所述第二MOS晶体管是第二PMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管具有接收所述写控制信号的栅极、连接到所述第三节点的源极和连接到所述第二节点的漏极。

4.根据权利要求1所述的一次性可编程单元，其中所述第一MOS晶体管是第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管具有接收所述读控制信号的栅极、连接到所述第一节点的漏极和连接到所述第二节点的源极，所述第二MOS晶体管是第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管具有接收所述写控制信号的栅极、连接到所述第三节点的漏极和连接到所述第二节点的源极。

5.根据权利要求4所述的一次性可编程单元，还包括：反相器类型的读出放大器，以读出和放大施加到所述第二节点的电压。

6.根据权利要求1所述的一次性可编程单元，其中所述第一MOS晶体管包括高压晶体管。

7.一种一次性可编程存储设备，包括：

多个读控制线，以列方向延伸，所述多个读控制线中的每个在读模式下施加对应的地址时被激活；

多个写控制线，以列方向延伸，所述多个写控制线中的每个在写模式下施加对应的地址时被激活；

多个一次性可编程单位单元，连接到相应的读控制线和相应的写控制线，以便在其中存储数据，其中所述一次性可编程单位单元是根据权利要求1-6中任意一项的一次性可编程单元；

多个数据线，以行方向延伸，以传送从所述多个一次性可编程单位单元所输出的数据；以及

多个读出放大器，连接到相应的数据线以读出和放大通过所述相应的数据线所传送的数据，然后输出所放大的数据。

8.根据权利要求7所述的一次性可编程存储设备，还包括高压电源，用于将高压施加到所述多个一次性可编程单位单元。

9.一种一次性可编程存储设备，包括：

多个读控制线，以列方向延伸，所述多个读控制线中的每个在读模式下施加对应的地址时被激活；

多个写控制线，以列方向延伸，所述多个写控制线中的每个在写模式下施加对应的地址时被激活；

多个一次性可编程单位单元，连接到相应的读控制线和相应的写控制线，以便在其中存储数据，其中所述一次性可编程单位单元是根据权利要求1-6中任意一项的一次性可编程单元；以及

多个数据线，以行方向延伸，以传送从所述多个一次性可编程单位单元输出的数据。

10.一种一次性可编程存储设备，包括：

第一到第N读控制线，以列方向延伸，所述读控制线中的每个在读模式下施加对应的地址时被激活；

第一到第N写控制线，以列方向延伸，所述写控制线中的每个在写模式下施加对应的地址时被激活；

多个一次性可编程单位单元，连接到相应的读控制线和相应的写控制线，以便在其中存储数据，其中所述一次性可编程单位单元是根据权利要求1-6中任意一项的一次性可编程单元；

第一到第M数据线，以行方向延伸，以传送从所述多个一次性可编程单位单元输出的数据；

第一到第M读出放大器，连接到相应的数据线以读出和放大通过所述相应的数据线所传送的数据，然后输出放大的数据；

第一到第M高压线，以行方向延伸，所述高压线中的每个将高压提供到多个一次性可编程单位单元，所述多个一次性可编程单位单元连接到与所述高压线相对应的数据线；以及

选择器，配置成选择性地将所述高压提供到与在写模式下所施加的地址相对应的高压线。

11.一种一次性可编程存储设备，包括：

第一到第N读控制线，以列方向延伸，所述读控制线中的每个在读模式下施加对应的地址时被激活；

第一到第N写控制线，以列方向延伸，所述写控制线中的每个在写模式下施加对应的地址时被激活；

多个一次性可编程单位单元，连接到相应的读控制线和相应的写控制线，以便在其中存储数据，其中所述一次性可编程单位单元是根据权利要求1-6中任意一项的一次性可编程单元；

第一到第M数据线，以行方向延伸，以传送从所述多个一次性可编程单位单元输出的数据；

第一到第M高压线，以行方向延伸，所述高压线中的每个将高压提供到多个一次性可编程单位单元，所述多个一次性可编程单元连接到与所述高压线相对应的数据线；以及

选择器，配置成选择性地将所述高压提供到与在写模式下所施加的地址相对应的高压线。