[发明专利]固态成像器件和照相机有效
| 申请号： | 200810008292.8 | 申请日： | 2008-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101246898A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 糸长总一郎;大屋雄 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 董方源 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 固态 成像 器件 照相机 | ||
1.一种由像素排列形成的固态成像器件，所述像素中的每一个包括：
光电转换元件；和
用于将在所述光电转换元件中经光电转换的电荷读至浮动扩散部的读 晶体管；
其中与所述浮动扩散部直接毗连的元件隔离区由浅槽元件隔离区形 成，并且
除了所述浅槽元件隔离区之外的其他元件隔离区由杂质扩散隔离区形 成，
其中所述浅槽元件隔离区连续地从与所述浮动扩散部毗连的部分延伸 到读栅电极之下的部分，并且
所述杂质扩散隔离区介于所述读栅电极之下的所述浅槽元件隔离区的 延伸部分的末端和所述光电转换元件之间。
2.如权利要求1所述的固态成像器件，其中
膜厚度等于栅绝缘膜的膜厚度的平整绝缘膜被形成在所述浅槽元件隔 离区和所述杂质扩散隔离区上。
3.如权利要求1所述的固态成像器件，其中
比栅绝缘膜厚的绝缘膜被形成在所述杂质扩散隔离区上。
4.如权利要求1所述的固态成像器件，还包括所述像素中的复位晶体 管，
其中，所述复位晶体管的源极区由远离所述浮动扩散部的扩散层形 成，并且
其中，所述扩散层周围的元件隔离区由所述浅槽元件隔离区形成。
5.如权利要求1所述的固态成像器件，其中
多个所排列的像素共享除了所述读晶体管之外的像素晶体管。
6.一种包括固态成像器件的照相机，该固态成像器件由像素排列形 成，所述像素中的每一个包括：
光电转换元件；和
用于将在所述光电转换元件中经光电转换的电荷读至浮动扩散部的读 晶体管；
其中与所述浮动扩散部直接毗连的元件隔离区由浅槽元件隔离区形 成，并且
除了所述浅槽元件隔离区之外的其他元件隔离区由杂质扩散隔离区形 成，
其中所述浅槽元件隔离区连续地从与所述浮动扩散部毗连的部分延伸 到读栅电极之下的部分，并且
所述杂质扩散隔离区介于所述读栅电极之下的所述浅槽元件隔离区的 延伸部分的末端和所述光电转换元件之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
