[发明专利]蚀刻反应系统有效
| 申请号： | 200810008526.9 | 申请日： | 2008-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101281859A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 黄途岩;陈益弘;李大庆;吴上升;苏群统 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;C23F4/00;H01J37/32;H05H1/00;H05H1/46 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 反应 系统 | ||
1. 一种蚀刻反应系统，包括：
一蚀刻反应室，具有一排气口；
一气体输送管，连接于该蚀刻反应室，用以将蚀刻工艺气体输入到该蚀刻反应室之中；
一上射频电极，设置于该蚀刻反应室之上；
一下射频电极，设置于该蚀刻反应室之下并且与该上射频电极相对，其中，该蚀刻工艺气体通过该上射频电极及该下射频电极的运作而转化成等离子体；
一抽气泵，连接于该排气口，用以将所述等离子体抽离该蚀刻反应室；
一底座，设置于该蚀刻反应室之中；
一集中环，设置于该底座之上，用以容置一晶片，其中，所述等离子体蚀刻该晶片；以及
一挡块，设置于该集中环之上并且对应于该排气口，用以使流经该晶片的所述等离子体均匀分布。
2. 如权利要求1所述的蚀刻反应系统，其中，该挡块具有一连接部及一平面部，该连接部连接于该集中环，以及该平面部与该连接部相对。
3. 如权利要求1所述的蚀刻反应系统，其中，该挡块具有一连接部及一弧形部，该连接部连接于该集中环，以及该弧形部与该连接部相对。
4. 如权利要求1所述的蚀刻反应系统，其中，该挡块的高度介于3mm与8mm之间。
5. 如权利要求1所述的蚀刻反应系统，其中，该挡块由金属或陶瓷制成。
6. 一种蚀刻反应系统，包括：
一蚀刻反应室，具有多个排气口；
一气体输送管，连接于该蚀刻反应室，用以将蚀刻工艺气体输入到该蚀刻反应室之中；
一上射频电极，设置于该蚀刻反应室之上；
一下射频电极，设置于该蚀刻反应室之下并且与该上射频电极相对，其中，该蚀刻工艺气体通过该上射频电极及该下射频电极的运作而转化成等离子体；
一抽气泵，连接于所述排气口，用以将所述等离子体抽离该蚀刻反应室；
一底座，设置于该蚀刻反应室之中；
一集中环，设置于该底座之上，用以容置一晶片，其中，所述等离子体蚀刻该晶片；以及
多个挡块，设置于该集中环之上并且彼此间隔，其中，所述挡块分别对应于所述排气口，用以使流经该晶片的所述等离子体均匀分布。
7. 如权利要求6所述的蚀刻反应系统，其中，所述挡块的高度相同。
8. 如权利要求6所述的蚀刻反应系统，其中，所述挡块的高度不同。
9. 如权利要求6所述的蚀刻反应系统，其中，每一挡块具有一连接部及一平面部，该连接部连接于该集中环，以及该平面部与该连接部相对。
10. 如权利要求6所述的蚀刻反应系统，其中，每一挡块具有一连接部及一弧形部，该连接部连接于该集中环，以及该弧形部与该连接部相对。
11. 如权利要求6所述的蚀刻反应系统，其中，所述挡块的高度介于3mm与8mm之间。
12. 如权利要求6所述的蚀刻反应系统，其中，所述挡块由金属或陶瓷制成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
