[发明专利]Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体衬底制造方法

权利要求书

1.一种III-V族化合物半导体衬底制造方法，包括：

抛光片状III-V族化合物半导体晶体的表面的抛光步骤；

在所述的抛光步骤之后，清洗所述III-V族化合物半导体晶体表面的清洗步骤；

在所述清洗步骤之后的第一干蚀刻步骤，对用来承载所述III-V族化合物半导体晶体的电极施加第一偏压功率，并同时使用第一含卤素气体对所述晶体表面进行第一干蚀刻；和

在所述第一干蚀刻步骤之后的第二干蚀刻步骤，对所述电极施加小于所述第一偏压功率的第二偏压功率，且同时使用第二含卤素气体对所述III-V族化合物半导体晶体表面进行第二干蚀刻。

2.如权利要求1所述的III-V族化合物半导体衬底制造方法，其中，在所述的抛光步骤中，抛光所述III-V族化合物半导体晶体表面直到所述表面的算术平均粗糙度降低到50_或更小。

3.如权利要求1或2所述的III-V族化合物半导体衬底制造方法，其中：

所述III-V族化合物半导体晶体表面具有III族元素物质面和V族元素物质面；

所述的抛光步骤包括对所述III-V族化合物半导体晶体表面进行化学抛光的化学抛光处理；和

利用包含双氧水、硫酸、盐酸、硝酸或氢氟酸中的至少一种的溶液，作为在所述化学抛光处理中使用的化学溶液和在所述清洗步骤中使用的清洗溶液的至少一种。

4.如权利要求1或2所述的III-V族化合物半导体衬底制造方法，其中，所述III-V族化合物半导体晶体包含Ga、In或Al中的至少一种作为III族元素物质，且包含As、P或N中的至少一种作为V族元素物质。