[发明专利]连续性微透镜阵列、其制造方法及定义其的光掩模有效

专利信息
申请号: 200810008550.2 申请日: 2008-01-23
公开(公告)号: CN101493535A 公开(公告)日: 2009-07-29
发明(设计)人: 林淯琮;吴心平;高弘昭;王铭义 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: G02B3/00 分类号: G02B3/00;H01L33/00;H01L27/148;G03F7/00;G03F1/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 彭久云
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 连续性 透镜 阵列 制造 方法 定义 光掩模
【权利要求书】:

1.一种连续性微透镜阵列的制造方法,包括:

采用单一个光掩模定义形成光致抗蚀剂图案阵列,其中每一个光致抗蚀 剂图案的上视轮廓大致呈圆形或多边形,且相邻光致抗蚀剂图案彼此相连或 靠近,每一个光致抗蚀剂图案包括大致呈圆形或多边形的柱状部分,以及其 外围大致呈圆形或多边形且高度低于该柱状部分的至少一个环状片段,而当 每一个光致抗蚀剂图案包括两个或更多个环状片段时,各环状片段的高度不 一,且由内向外递减;

进行回熔步骤,其包括加热该光致抗蚀剂图案阵列,以使每一个光致抗 蚀剂图案的表面圆化,并使彼此靠近的相邻光致抗蚀剂图案相连;以及

进行定形步骤以固定每一个光致抗蚀剂图案的形状,

其中该定形步骤使用紫外光照射该光致抗蚀剂图案阵列。

2.如权利要求1所述的连续性微透镜阵列的制造方法,其中该定形步骤 包括进一步加热该光致抗蚀剂图案阵列,且该定形步骤所设定的温度高于该 回熔步骤所设定者。

3.如权利要求1所述的连续性微透镜阵列的制造方法,其中在该回熔步 骤进行之前,每一个光致抗蚀剂图案的表面有不均匀的高度分布,其高度由 内向外递减。

4.如权利要求3所述的连续性微透镜阵列的制造方法,其中该光掩模上 对应任一个光致抗蚀剂图案的光掩模图案具有一透光率分布,以使该光致抗 蚀剂图案的表面具有该不均匀的高度分布。

5.如权利要求1所述的连续性微透镜阵列的制造方法,其中该光致抗蚀 剂图案阵列由单一光掩模所定义,该光掩模包括透光基板及光掩模图案阵 列,且在该光掩模图案阵列中,

每一个光掩模图案对应该光致抗蚀剂图案阵列中的一个光致抗蚀剂图 案;

相邻的光掩模图案彼此隔开,其隔开的距离使得相邻的光致抗蚀剂图案 可彼此相连或靠近;以及

每一个光掩模图案中有至少一个露出部分该透光基板的环状分隔道,其 形状大致呈圆形或多边形。

6.如权利要求1所述的连续性微透镜阵列的制造方法,其中该光致抗蚀 剂图案阵列形成于感光元件阵列上方,且其中每一个光致抗蚀剂图案对应该 感光元件阵列中的一个感光元件,其中,

从上方观视时,每一个光致抗蚀剂图案的该柱状部分的中心与该至少一 个环状片段的中心大致重合;

该光致抗蚀剂图案阵列区分为中间部分与位于该中间部分外围的至少 一个周边部分,此区分依光入射角度不同而定;

位于该中间部分的多个光致抗蚀剂图案中的每一个光致抗蚀剂图案对 准其所对应的感光元件;以及

位于该至少一个周边部分的多个光致抗蚀剂图案中的每一个光致抗蚀 剂图案相对于其所对应的感光元件有一横向位移。

7.如权利要求6所述的连续性微透镜阵列的制造方法,其中该感光元件 阵列为光二极管阵列或电荷耦合元件阵列。

8.如权利要求1所述的连续性微透镜阵列的制造方法,其中该光致抗蚀 剂图案阵列形成于感光元件阵列上方,且其中每一个光致抗蚀剂图案对应该 感光元件阵列中的一个感光元件,其中,

该光致抗蚀剂图案阵列中的每一个光致抗蚀剂图案所在的区域皆对准 其所对应的感光元件;

该光致抗蚀剂图案阵列区分为中间部分与位于该中间部分外围的至少 一个周边部分,此区分依光入射角度不同而定;

从上方观视时,位于该中间部分的每一个光致抗蚀剂图案的该柱状部分 的中心与该至少一个环状片段的中心大致与该光致抗蚀剂图案所在的区域 的中心重合;以及

从上方观视时,位于该至少一个周边部分的每一个光致抗蚀剂图案中, 该柱状部分的中心与该至少一个环状片段的中心皆相对于该光致抗蚀剂图 案所在的区域的中心有一位移。

9.如权利要求8所述的连续性微透镜阵列的制造方法,其中该感光元件 阵列为光二极管阵列或电荷耦合元件阵列。

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