[发明专利]相变存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种相变存储器，包括：

存储节点，包含相变层；以及

开关器件，连接到所述存储节点，其中

该相变层选择生长在下电极上。

2.如权利要求1所述的相变存储器，其中籽层形成在所述下电极和所述相变层之间，所述相变层形成在所述籽层上。

3.如权利要求2所述的相变存储器，其中所述下电极包括：

填充接触孔的下电极接触层，以及

连接所述下电极接触层和所述开关器件的连接部分，且其中

所述下电极接触层形成在所述连接部分和所述籽层之间。

4.如权利要求2所述的相变存储器，其中所述籽层是从由硫族化物层、导电过渡金属层、过渡金属氮化物层、三元氮化物层和金属氧化物层组成的组中选择的层。

5.如权利要求1所述的相变存储器，其中所述相变层直接形成在所述下电极上。

6.如权利要求5所述的相变存储器，其中所述下电极包括：

填充接触孔的下电极接触层，以及

连接所述下电极接触层和所述开关器件的连接部分，且其中

所述相变层直接形成在所述下电极接触层上。

7.如权利要求5所述的相变存储器，其中所述下电极和所述相变层顺序堆叠以填充接触孔。

8.如权利要求7所述的相变存储器，其中所述下电极包括，

下电极接触层，以及

连接所述下电极接触层和所述开关器件的连接部分，且其中

所述下电极接触层和所述相变层顺序堆叠以填充该接触孔。

9.如权利要求8所述的相变存储器，其中所述下电极接触层形成在所述接触孔的第一部分中且所述相变层形成在所述接触孔的第二部分中。

10.如权利要求9所述的相变存储器，其中所述接触孔的第一部分包括整个所述下电极接触层且所述接触孔的第二部分包括所述相变层。

11.一种制造相变存储器的方法，所述方法包括：

在包括开关器件的半导体衬底上形成绝缘中间层，所述绝缘中间层形成为覆盖所述开关器件；

形成连接至所述开关器件的下电极；以及

在所述下电极上选择生长相变层。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述相变层是从由Ge-Sb-Te层、As-Sb-Te层、As-Ge-Sb-Te层、Sn-Sb-Te层、(5A族元素)-Sb-Te层、(6A族元素)-Sb-Te层、(5A族元素)-Sb-Se层、(6A族元素)-Sb-Se层组成的组中选择的层。

13.如权利要求11所述的方法，其中在所述绝缘中间层的形成之前，所述方法还包括：

在所述衬底上形成所为所述开关器件的晶体管；

形成覆盖所述晶体管的下绝缘中间层；

在所述下绝缘中间层中形成接触垫层，所述接触垫层连接至所述晶体管的源极或漏极；以及

形成电连接所述接触垫层和所述下电极的导电塞。

14.如权利要求11所述的方法，其中生长所述相变层还包括：

在所述下电极上形成籽层，且其中

所述相变层选择生长在所述籽层上。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述籽层是从由硫族化物层、导电过渡金属层、过渡金属氮化物层、三元氮化物层、过渡金属氧化物层组成的组中选择的层。

16.如权利要求14所述的方法，还包括，

在选择生长所述相变层之后形成围绕所述相变层和所述籽层的侧壁的绝缘层。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述绝缘层的形成包括，

形成覆盖所述相变层和所述籽层的绝缘层，以及

平坦化所述绝缘层的顶表面以暴露所述相变层。

18.如权利要求11所述的方法，其中形成所述下电极还包括，

在所述开关器件上形成连接部分，以及

在所述连接部分上形成下电极接触层，其中

所述相变层直接选择生长在所述下电极接触层上。