[发明专利]电动机驱动集成电路

说明书

技术领域

本发明涉及电动机驱动集成电路。

背景技术

在以往的电子设备中，在一个设备内采用多个电动机的情况较多。例如，在数字照相机的情况下，为了驱动变焦机构、聚焦机构、光圈机构、快门机构等，而采用多个电动机。因此，通常采用一个电动机驱动集成电路来驱动多个电动机(例如，参照专利文献1)。

由这样的电动机驱动集成电路所控制的电动机的驱动电压，并不是在所有的电动机都相同，而大多是每个电动机不同。像这样，在对驱动电压不同的多个电动机进行驱动的电动机驱动集成电路中，并不是每个电动机不同的多个驱动电压施加到电动机驱动集成电路，而仅施加最高的驱动电压的情况较多。并且，对于不需要从外部施加的较高驱动电压的电动机，通常采取在电动机驱动集成电路内，通过恒压控制或PWM(Pulse Width Modulation：脉冲宽度调制)控制等，使驱动电压降压以使用(例如，参照专利文献2)。

图11是表示利用恒压控制而使电动机的驱动电压降压的电动机驱动集成电路的一般结构例的图。电动机驱动集成电路100包括P沟道MOSFET110、111、N沟道MOSFET112、113、基准电压电路114、电阻115、116、比较器117、开关电路118而构成，控制包含电动机120在内的多个电动机的驱动。电动机120例如为控制数字照相机的变焦机构的DC电动机，连接在电动机驱动集成电路100的端子OUT1、OUT2之间。并且，从电源125输出的电源电压V_M经由端子VM施加到电动机驱动集成电路100。该电源电压V_M例如假设为电动机驱动集成电路100驱动的多个电动机中最高的驱动电压，为高于电动机120的驱动电压的电压。

P沟道MOSFET110、111以及N沟道MOSFET112、113构成H电桥电路。并且，通过P沟道MOSFET110以及N沟道MOSFET113导通，P沟道MOSFET111以及N沟道MOSFET112截止，从端子OUT1向端子OUT2的方向进行电动机120的通电。另外，通过P沟道MOSFET111以及N沟道MOSFET112导通，P沟道MOSFET110以及N沟道MOSFET113截止，从端子OUT2向端子OUT1的方向进行电动机120的通电。

例如，在从端子OUT1向端子OUT2的方向使电动机120通电的情况下，P沟道MOSFET110以及N沟道MOSFET113导通。这里，由于通过P沟道MOSFET110导通，端子OUT1的电压V_OUT1与施加到端子VM的电压V_M大致相等，所以V_OUT1＝V_M。另一方面，端子OUT2的电压V_OUT2被比较器117进行控制，使得电动机120的驱动电压(V_OUT1-V_OUT2)为低于电压V_M的规定的V_M’。即，在从端子OUT1向端子OUT2的方向使电动机120通电的情况下，开关电路118被切换到B侧，并且，N沟道MOSFET113的栅极电压被控制，以使电阻115、116的连接点电压与从基准电压电路114输出的电压相等，从而电压V_OUT2＝V_OUT1-V_M’。

【专利文献1】特开2004-104940号公报

【专利文献2】特开2005-287186号公报

通过这样进行恒压控制，虽然能够使电动机120的驱动电压成为低于电压V_M的V_M’，但是由于电压V_OUT2成为将电压V_M降压后的电压，在电动机驱动集成电路内功率会白白消耗。即，假设在恒压驱动时，流过电动机120的电流为I，除了V_M’×I的电动机驱动功率之外，还消耗降压的电压(V_M-V_M’＝V_OUT2)×I的功率，导致功率消耗量的增大。

另外，通过采用PWM控制而不是采用恒压控制，也可以抑制电动机驱动集成电路的消耗功率，但是需要从电动机驱动集成电路的外部输入调整成为期望的占空比的用于PWM控制的脉冲。因此，成为电动机驱动集成电路的端子数增加，成本增大的主要原因。

发明内容

本发明鉴于上述课题而完成，其目的在于提供一种可抑制功率消耗量的增大以及端子数的增加的电动机驱动集成电路。