[发明专利]发光元件有效

专利信息
申请号: 200810008564.4 申请日: 2008-01-23
公开(公告)号: CN101494263A 公开(公告)日: 2009-07-29
发明(设计)人: 谢明勋;许嘉良 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 彭久云
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件
【权利要求书】:

1.一种发光元件,包含:

第一透光层;

半导体发光叠层,形成于该第一透光层上;

第二透光层,形成于该半导体发光叠层上;以及

图案化接触结构,至少形成于该半导体发光叠层及该第一透光层之间及 /或该半导体发光叠层及该第二透光层之间,且该图案化接触结构与该半导体 发光叠层形成电连接;

其中该第二透光层的厚度与该第一透光层的厚度比值介于0.1至10之 间。

2.如权利要求1所述的发光元件,其中该第一透光层具有朝向该半导体 发光叠层的第一表面及与该第一表面相对的第二表面,该第一表面的面积与 该半导体发光叠层的面积的比值不小于1.4。

3.如权利要求1所述的发光元件,其中该第二透光层具有朝向该半导体 发光叠层的第三表面及与该第三表面相对的第四表面,该第三表面的面积与 该半导体发光叠层的面积的比值不小于1.4。

4.如权利要求1所述的发光元件,其中该半导体发光叠层及该第一透光 层之间包含第一接合面。

5.如权利要求4所述的发光元件,其中该图案化接触结构形成于该第一 接合面上。

6.如权利要求5所述的发光元件,其中该半导体发光叠层包含第一导电 型半导体层、发光层及第二导电型半导体层;该第一透光层远离该半导体发 光叠层的表面上包含第一电极;该第一电极下包含欧姆接触结构,该欧姆接 触结构自该第一透光层远离该半导体发光叠层的表面贯穿该第一透光层至 该第一接合面且与该图案化接触结构接触,其中该欧姆接触结构分别与半导 体发光叠层及第一电极形成电连接;以及该第二导电型半导体层朝向该第一 透光层的表面上包含第二电极。

7.如权利要求1所述的发光元件,其中该第一透光层至少包含第一粗化 结构。

8.如权利要求4所述的发光元件,其中该第一接合面包含该第一粗化结 构。

9.如权利要求1所述的发光元件,其中该第二透光层至少包含第二粗化 结构。

10.如权利要求5所述的发光元件,其中该第二透光层至少包含第三粗化 结构。

11.如权利要求10所述的发光元件,其中该半导体发光叠层及该第二透 光层之间包含第二接合面,第二图案化接触结构形成于该半导体发光叠层及 该第二透光层之间的该第二接合面上,且该第二图案化接触结构与该半导体 发光叠层电连接。

12.如权利要求10所述的发光元件,其中该半导体发光叠层及该第一透 光层之间包含一围绕该图案化接触结构的第一粘结层,该第一粘结层与该半 导体发光叠层之间形成该第一接合面且与该第一透光层之间形成第三接合 面。

13.如权利要求12所述的发光元件,其中该第一透光层包含第一导电材 料且与该图案化接触结构形成电连接。

14.如权利要求12所述的发光元件,其中该第一接合面或第三接合面中 至少一个接合面包含第五粗化结构。

15.如权利要求10所述的发光元件,其中该半导体发光叠层及该第二透 光层之间包含第二粘结层,该第二粘结层与该第二透光层之间形成第四接合 面,与该半导体发光叠层之间形成第五接合面。

16.如权利要求15所述的发光元件,其中该半导体发光叠层包含第一导 电型半导体层,发光层及第二导电型半导体层;其中该第一导电型半导体层 朝向该第一透光层的表面上包含第一电极,与该图案化接触结构接触;以及 朝向该第一透光层的该第二导电型半导体层的表面上包含第二电极。

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