[发明专利]具低转角频率的高通滤波电路

权利要求书

1.一种高通滤波电路，其特征在于，所述的高通滤波电路包含：

一电压源提供一直流偏压；

一第一反相器，将所述的直流偏压转换成一第一转换偏压信号；

一第二反相器耦接至所述的第一反相器，将第一转换偏压信号转换成第二转换偏压信号；以及

一电容器耦接至所述的第二反相器。

2.如权利要求1所述的高通滤波电路，其特征在于，所述的高通滤波电路更包含一运算放大器连接所述的电压源，所述的电压源经由所述的运算放大器提供所述的直流偏压。

3.如权利要求1所述的高通滤波电路，其特征在于，所述的第一反相器与所述的第二反相器相匹配。

4.如权利要求1所述的高通滤波电路，其特征在于，所述的第一反相器包含两晶体管。

5.如权利要求4所述的高通滤波电路，其特征在于，所述的两晶体管为一第一p-MOS晶体管与一第一n-MOS晶体管。

6.如权利要求1所述的高通滤波电路，其特征在于，所述的第二反相器包含两晶体管。

7.如权利要求6所述的高通滤波电路，其特征在于，所述的两晶体管为一第二p-MOS晶体管与一第二n-MOS晶体管。

8.如权利要求1所述的高通滤波电路，其特征在于，所述的第一反相器包含两晶体管而所述的第二反相器亦包含两晶体管。

9.如权利要求1所述的高通滤波电路，其特征在于，所述的第一反相器包含一第一p-MOS晶体管与一第一n-MOS晶体管而所述的第二反相器包含一第二p-MOS晶体管与一第二n-MOS晶体管。

10.如权利要求9所述的高通滤波电路，其特征在于，所述的第一p-MOS晶体管与所述的第二p-MOS晶体管相匹配；所述的第一n-MOS晶体管与所述的第二n-MOS晶体管相匹配。

11.如权利要求9所述的高通滤波电路，其特征在于，所述的第一p-MOS晶体管的大小与所述的第二p-MOS晶体管的大小相匹配；所述的第一n-MOS晶体管的大小与所述的第二n-MOS晶体管的大小相匹配。

12.如权利要求9所述的高通滤波电路，其特征在于，所述的高通滤波电路更包含至少一增加的p-MOS晶体管以及至少一增加的n-MOS晶体管，分别以串叠连接方式，耦接至所述的第二p-MOS晶体管以及耦接至所述的第二n-MOS晶体管以增加提供的阻抗。

13.如权利要求12所述的高通滤波电路，其特征在于，所述的高通滤波电路更包含至少一增加的p-MOS晶体管以及至少一增加的n-MOS晶体管，分别以串叠连接方式，耦接至所述的第一p-MOS晶体管以及耦接至所述的第一n-MOS晶体管以增加提供的阻抗。

14.一直接降频接收器，其特征在于，所述的直接降频接收器包含：

一信号输入端以接收一信号；

一低噪声放大器耦接至所述的信号输入端，放大自所述的信号输入端所接收的所述的信号；

一本地振荡器提供一预先决定的参考信号；

一混频器耦接至所述的低噪声放大器以及所述的本地振荡器，对所述的信号与所述的预先决定的参考信号实偏施混频，以对所述的信号实施降频转换；

一种高通滤波电路，过滤来自所述的混频器的降频转换信号中的一直流成分，所述的高通滤波电路包含：

一电压源提供一直流偏压；

一第一反相器，将所述的直流偏压转换成一第一转换偏压信号；

一第二反相器耦接至所述的第一反相器，将第一转换偏压信号转换成第二转换偏压信号；以及

一电容器耦接至所述的第二反相器；以及

一零中频放大器耦接至所述的高通滤波电路，用以放大来自所述的高通滤波电路的信号。

15.如权利要求14所述的直接降频接收器，其特征在于，所述的高通滤波电路更包含一运算放大器连接所述的电压源，所述的电压源经由所述的运算放大器提供所述的直流偏压。

16.如权利要求14所述的直接降频接收器，其特征在于，所述的第一反相器与所述的第二反相器相匹配。

17.如权利要求14所述的直接降频接收器，其特征在于，所述的第一反相器包含两晶体管。