[发明专利]衬底薄化设备、方法和组件

权利要求书

1.一种衬底薄化设备，包括：

室，所述室将待蚀刻的衬底容纳于其中；

蚀刻剂入口和蚀刻剂出口，所述蚀刻剂入口和蚀刻剂出口相互分离， 且设置于所述室中；

蚀刻剂存储箱，所述蚀刻剂存储箱与蚀刻剂入口和蚀刻剂出口相通，

其中，所述待蚀刻的衬底被浸渍在供给到所述室的蚀刻剂中，并且被 供给到所述室中的蚀刻剂蚀刻，

所述蚀刻剂入口形成于所述室的上部，而所述蚀刻剂出口形成于所述 室的下部，以使得蚀刻剂进入所述室以沿着所述室的竖直方向流动，其中 所述衬底竖直地放置在所述室中，和

所述蚀刻剂在所述室中向下流动。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述衬底的两个表面同时都被蚀 刻。

3.根据权利要求1所述的设备，还包括移动单元，所述移动单元用于 支撑和移动衬底。

4.根据权利要求3所述的设备，还包括围绕衬底边缘的框架。

5.一种衬底薄化设备，包括：

室，所述室将待蚀刻的衬底容纳于其中；

蚀刻剂入口和蚀刻剂出口，所述蚀刻剂入口和蚀刻剂出口相互分离， 且设置于所述室中；

蚀刻剂存储箱，所述蚀刻剂存储箱与蚀刻剂入口和蚀刻剂出口相通，

其中，所述待蚀刻的衬底被浸渍在供给到所述室的蚀刻剂中，并且被 供给到所述室中的蚀刻剂蚀刻，

其中，所述蚀刻剂入口形成于所述室的下部，而所述蚀刻剂出口形成 于所述室的上部，以使得蚀刻剂进入所述室以沿着所述室的竖直方向流 动，其中所述衬底竖直地放置在所述室中，和

所述蚀刻剂在所述室中向上流动。

6.根据权利要求1和5中任一项所述的设备，其中所述蚀刻剂在所述 室中以稳态流动。

7.一种衬底薄化方法，该方法包括：

将待蚀刻的衬底浸渍在供给到室中的蚀刻剂中；以及

使蚀刻剂在所述室中流动，

其中所述室包括入口和出口，蚀刻剂通过所述入口和出口在所述室中 向下流动，以使得蚀刻剂进入所述室以沿着所述室的竖直方向流动，其中 所述衬底竖直地放置在所述室中。

8.一种衬底薄化方法，该方法包括：

将待蚀刻的衬底浸渍在供给到室中的蚀刻剂中；以及

使蚀刻剂在所述室中流动，

其中所述室包括入口和出口，蚀刻剂通过所述入口和出口在所述室中 向上流动，以使得蚀刻剂进入所述室以沿着所述室的竖直方向流动，其中 所述衬底竖直地放置在所述室中。

9.一种衬底薄化组件，包括：

双面蚀刻型衬底薄化设备，该设备包括：第一室，所述第一室将待蚀 刻的第一衬底容纳在其中；蚀刻剂入口和蚀刻剂出口，所述蚀刻剂入口和 蚀刻剂出口相互分离，且设置在所述室中；以及蚀刻剂存储箱，所述蚀刻 剂存储箱与蚀刻剂入口和蚀刻剂出口相通，其中所述待蚀刻的第一衬底浸 渍在供给到所述第一室中的蚀刻剂中，以使得第一衬底的两个表面都能被 蚀刻；以及

单面蚀刻型衬底薄化设备，该设备包括：用于支撑待蚀刻的第二衬底 的支撑板；第二室，所述第二室将所述支撑板容纳在其中；以及喷嘴，所 述喷嘴将蚀刻剂喷到第二衬底上，其中所述支撑板被倾斜，且由所述支撑 板支撑的第二衬底也被倾斜，使得第二衬底的单个表面被供给到所述第二 室中的蚀刻剂蚀刻，

所述蚀刻剂入口形成于所述第一室的上部，而所述蚀刻剂出口形成于 所述第一室的下部，以使得蚀刻剂进入所述室以沿着所述室的竖直方向流 动，其中所述第一衬底竖直地放置在所述室中，和

所述蚀刻剂在所述第一室中向下流动。

10.一种衬底薄化组件，包括：

双面蚀刻型衬底薄化设备，该设备包括：第一室，所述第一室将待蚀 刻的第一衬底容纳在其中；蚀刻剂入口和蚀刻剂出口，所述蚀刻剂入口和 蚀刻剂出口相互分离，且设置在所述室中；以及蚀刻剂存储箱，所述蚀刻 剂存储箱与蚀刻剂入口和蚀刻剂出口相通，其中所述待蚀刻的第一衬底浸 渍在供给到所述第一室中的蚀刻剂中，以使得第一衬底的两个表面都能被 蚀刻；以及

单面蚀刻型衬底薄化设备，该设备包括：用于支撑待蚀刻的第二衬底 的支撑板；第二室，所述第二室将所述支撑板容纳在其中；以及喷嘴，所 述喷嘴将蚀刻剂喷到第二衬底上，其中所述支撑板被倾斜，且由所述支撑 板支撑的第二衬底也被倾斜，使得第二衬底的单个表面被供给到所述第二 室中的蚀刻剂蚀刻，

所述蚀刻剂入口形成于所述第一室的下部，而所述蚀刻剂出口形成于 所述第一室的上部，以使得蚀刻剂进入所述室以沿着所述室的竖直方向流 动，其中所述第一衬底竖直地放置在所述室中，和

所述蚀刻剂在所述第一室中向上流动。