[发明专利]宽带低噪声放大器有效
| 申请号： | 200810008812.5 | 申请日： | 2008-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101494441A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 高彬 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;三星半导体(中国)研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/195 | 分类号： | H03F3/195;H03F1/26;H03F1/42 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;李云霞 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 宽带 低噪声放大器 | ||
【权利要求书】：
1.一种宽带低噪声放大器，包括：
共栅极输入电路，所述共栅极输入电路接收外部输入信号，用于实现输 入匹配并提供低频段增益；
共源共栅极放大电路，所述共源共栅极放大电路的输入端通过第一电容 器耦合到所述共栅极输入电路的输出端，用于提供高频增益并实现反向隔离；
共源支路，包括第一MOS管，所述第一MOS管的栅极通过第二电容器 耦合到所述共栅极输入电路的输入端，其源极接地，其漏极连接到所述共源 共栅极放大电路的共源管的漏极；
源极跟随器输出电路，所述源极跟随器输出电路的输入端连接到所述共 源共栅极放大电路的输出端，用于输出经过低噪声放大处理的信号，
其中，所述共源管和所述第一MOS管的跨导满足如下等式：
gm2RL＝gm2nRs，
其中，gm2是所述共源管的跨导，gm2n是所述第一MOS管的跨导，RL是所述共栅极输入电路的负载阻抗，Rs是所述宽带低噪声放大器的输入阻抗。
2.如权利要求1所述的宽带低噪声放大器，其中，所述第一电容器和所 述第二电容器是耦合电容，它们的电容容量均为5pF。
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