[发明专利]半导体元件的制造方法以及半导体元件无效
| 申请号： | 200810008863.8 | 申请日： | 2008-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101231946A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 木谷智之;井口知洋;平原昌子;西内秀夫;东条启;富冈泰造 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/78;H01L21/607;H01L27/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 以及 | ||
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
在一个主面上形成有电路元件的半导体晶片的另一个主面上形成导电层；
在覆盖上述导电层上的至少一部分的区域内，形成相比于该导电层具有难切削性的保护层；以及
将上述半导体晶片按照每个半导体元件切断。
2.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
上述保护层形成在对上述半导体元件施加超声波振动的结合工具所抵接的区域内。
3.如权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
上述导电层由从金、银、铜、铝构成的组中选择的1种或2种以上的材料形成；
上述保护层由从镍、钛、钨、科瓦铁镍钴合金、铂构成的组中选择的1种或2种以上的材料形成；或者，由从苯酚树脂、环氧树脂、丙烯树脂、酰亚胺树脂、酰胺树脂构成的组中选择的1种或其改性树脂形成；或者，由以二氧化硅为主成分的玻璃形成；或者，由以氮化铝为主成分的烧结陶瓷形成。
4.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
在一个主面上形成有电路元件的半导体晶片的另一个主面上，在切断该半导体晶片而形成了半导体元件的情况下，在每个上述半导体元件的区域内形成凹部；
在上述凹部内形成导电层，该导电层具有比该凹部的深度尺寸小的厚度尺寸；以及
将上述半导体晶片按照每个上述半导体元件切断。
5.一种半导体元件，其特征在于，具有：
半导体基板，在一个主面上形成有多个电路元件；
导电层，形成在上述半导体基板的另一个主面上；以及
保护层，层积地形成在上述导电层上，并相比于该导电层具有难切削性。
6.一种半导体元件，其特征在于，具有：
半导体基板，在一个主面上形成有多个电路元件；
凹部，形成在上述半导体基板的另一个主面上；以及
导电层，形成在上述凹部内，具有比该凹部的深度尺寸小的厚度尺寸。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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