[发明专利]阵列基板和具有其的显示设备无效
申请号: | 200810008874.6 | 申请日: | 2008-01-30 |
公开(公告)号: | CN101236974A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | 李素贤;金一坤;张暎珠 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362;G02F1/136 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 具有 显示 设备 | ||
1.一种阵列基板,包括:
形成于基板上的栅极线;
与所述栅极线绝缘的多条数据线;
薄膜晶体管,形成于包括第一子区域和第二子区域的像素区域中;
形成于所述薄膜晶体管上的像素电极,所述像素电极电连接到所述薄膜晶体管;
形成于所述基板上的存储线,所述存储线与所述栅极线隔开并位于所述像素区域的第一边界;以及
形成于所述基板上的浮置电极,其中所述浮置电极与所述栅极线和所述存储线隔开,并位于所述像素区域的第二边界。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中所述存储线包括第一和第二存储线,每一所述存储线均具有基本平行于所述栅极线的干线以及从所述干线分支出来并位于所述第一和第二子区域的边界处的副线,所述浮置电极包括基本平行于所述副线且位于所述第一和第二子区域的边界处的第一和第二浮置电极,所述第一存储线的副线和所述第二浮置电极关于所述栅极线对称设置,且所述第二存储线的副线和所述第一浮置电极关于所述栅极线对称设置。
3.一种显示设备,包括:
第一基板,包括栅极线和多条与所述栅极线绝缘的数据线;
薄膜晶体管,形成于具有第一子区域和第二子区域的像素区域中;
形成于所述薄膜晶体管上的像素电极,所述像素电极连接到所述薄膜晶体管;
与所述栅极线隔开的存储线,其中所述存储线位于所述像素区域的第一边界;
与所述栅极线和所述存储线隔开的浮置电极,所述浮置电极位于所述像素区域的第二边界;以及
与所述第一基板耦合的第二基板。
4.根据权利要求3所述的显示设备,其中所述存储线包括第一和第二存储线,所述存储线具有基本平行于所述栅极线的干线以及从所述干线分支出来并位于所述第一和第二子区域的边界处的副线,所述浮置电极包括基本平行于所述副线且位于所述第一和第二子区域的边界处的第一和第二浮置电极,所述第一存储线的副线位于关于所述栅极线对应于所述第二浮置电极的区域中,且所述第二存储线的副线位于关于所述栅极线对应于所述第一浮置电极的区域中。
5.根据权利要求4所述的显示设备,其中所述第一和第二浮置电极垂直于所述栅极线,所述第一存储线的副线和所述第二浮置电极关于所述栅极线对称设置,且所述第二存储线的副线和所述第一浮置电极关于所述栅极线对称设置。
6.根据权利要求5所述的显示设备,其中所述像素区域包括第一组和第二组,所述第一和第二组沿所述栅极线交替设置,并且
所述像素电极包括:
形成于所述第一组的像素区域中的第一像素电极;以及
形成于所述第二组的像素区域中的第二像素电极,向所述第二像素电极施加的数据电压的极性与施加到所述第一像素电极的数据电压极性相反。
7.根据权利要求6所述的显示设备,其中所述数据线沿所述像素区域的第一边界或第二边界在垂直于所述栅极线的方向延伸,并包括对应于所述第一组的像素区域的第一数据线和对应于所述第二组的像素区域的第二数据线。
8.根据权利要求7所述的显示设备,其中所述薄膜晶体管包括:
第一薄膜晶体管,其包括从所述栅极线分支出来并位于所述第一子区域中的第一栅电极、从所述第一数据线分支出来并与所述第一栅电极部分重叠的第一源电极以及与所述第一源电极隔开并电连接到所述第一像素电极的第一漏电极;以及
第二薄膜晶体管,其包括从所述栅极线分支出来并位于所述第二子区域中的第二栅电极、从所述第二数据线分支出来并与所述第二栅电极部分重叠的第二源电极以及与所述第二源电极隔开并电连接到所述第二像素电极的第二漏电极。
9.根据权利要求8所述的显示设备,还包括:
设置在所述第一基板和所述第一栅电极之间以及所述第一基板和所述第一存储线之间的第一有源层;以及
设置在所述第一基板和所述第二栅电极之间以及所述第一基板和所述第二存储线之间的第二有源层。
10.根据权利要求9所述的显示设备,其中所述第一有源层包括掺有杂质且分别对应于所述第一源电极和所述第一漏电极的第一源极区和第一漏极区,所述第二有源层包括掺有所述杂质且分别对应于所述第二源电极和所述第二漏电极的第二源极区和第二漏极区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的