[发明专利]具有等离子壳层控制器的离子束设备

权利要求书

1.一种离子束设备，包括：

等离子体腔；

安装在所述等离子体腔的一端并具有第一离子提取孔的栅格组件；以及

设置在所述等离子体腔和所述栅格组件之间，并具有小于所述第一离子提取孔的第二离子提取孔的等离子壳层控制器。

2.如权利要求1所述的离子束设备，其中所述第二离子提取孔的宽度小于所述等离子体腔的等离子壳层的厚度。

3.如权利要求2所述的离子束设备，其中所述等离子壳层控制器孔比所述等离子壳层的厚度小几倍。

4.如权利要求1所述的离子束设备，其中所述等离子壳层控制器是导体。

5.如权利要求1所述的离子束设备，其中所述等离子壳层控制器是网状栅格。

6.如权利要求5所述的离子束设备，其中所述等离子壳层控制器由从石墨、金属和碳纳米管组成的组中选择的一个形成。

7.如权利要求1所述的离子束设备，其中所述等离子壳层控制器是多孔材料层。

8.如权利要求7所述的离子束设备，其中所述等离子壳层控制器由从多孔金属层或多孔陶瓷层组成的组中选择的一个形成。

9.如权利要求1所述的离子束设备，其中所述栅格组件包括：

第一离子提取栅格；以及

第二离子提取栅格，

其中所述第一离子提取栅格夹置于所述等离子壳层控制器和所述第二离子提取栅格之间。

10.如权利要求9所述的离子束设备，其中所述等离子壳层控制器比所述第一离子提取栅格更薄。

11.如权利要求9所述的离子束设备，其中所述第一离子提取栅格施加有正电压，且所述第二离子提取栅格施加有负电压或接地。

12.如权利要求9所述的离子束设备，其中所述栅格组件还包括第三离子提取栅格，正电压施加到该第三离子提取栅格，其中所述第二离子提取栅格夹置在所述第一离子提取栅格和所述第三离子提取栅格之间。

13.一种半导体制造设备，包括：

等离子体腔；

与所述等离子体腔相通的样品腔；

设置在所述等离子体腔和所述样品腔之间，并具有第一离子提取孔的栅格组件；以及

设置在所述等离子体腔和所述栅格组件之间，并具有小于所述第一离子提取孔的第二离子提取孔的等离子壳层控制器。

14.如权利要求13所述的半导体制造设备，还包括：

设置在所述等离子体腔的一个表面的气体入口；以及

设置在所述样品腔中的排气口。

15.如权利要求13所述的半导体制造设备，还包括设置在所述样品腔中的晶片台。

16.如权利要求13所述的半导体制造设备，其中所述第二离子提取孔的宽度小于所述等离子体腔中的等离子壳层的厚度。

17.如权利要求13所述的半导体制造设备，其中所述等离子壳层控制器与所述栅格组件接触。

18.如权利要求13所述的半导体制造设备，其中所述等离子壳层控制器是网状栅格或多孔材料层。

19.如权利要求18所述的半导体制造设备，其中所述等离子壳层控制器由从石墨、金属和碳纳米管组成的组中选择的一个形成。

20.如权利要求13所述的半导体制造设备，其中所述栅格组件包括：

第一离子提取栅格；以及

第二离子提取栅格，

其中所述第一离子提取栅格夹置在所述等离子壳层控制器和所述第二离子提取栅格之间。

21.如权利要求20所述的半导体制造设备，其中所述等离子壳层控制器比所述第一离子提取栅格更薄。

22.如权利要求20所述的半导体制造设备，其中所述第一离子提取栅格施加有正电压，且所述第二离子提取栅格施加有负电压或接地。

23.如权利要求20所述的半导体制造设备，其中所述栅格组件还包括第三离子提取栅格，正电压施加到该第三离子提取栅格，其中所述第二离子提取栅格夹置在所述第一离子提取栅格和所述第三离子提取栅格之间。