[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及基板处理装置，特别涉及具有由外部腔室和收容在该外部腔室中的内部腔室所构成的双重结构腔室的基板处理装置。

背景技术

在由作为基板的晶片制造半导体设备的半导体制造工艺中，利用使用处理气体的化学反应的处理正在被广泛应用。作为符合利用化学反应的处理(以下称作“化学反应处理”)，例如，有在除去抗蚀剂(resist)膜的灰化时，通过甲硅烷基(silyl)化气体对已损伤的低介电率绝缘膜(Low-k膜)进行修复的处理。

此外，在半导体制造工艺中，一直以来大多使用真空处理，例如蚀刻处理、灰化处理、CVD处理。在这些真空处理之后，若将实施过该真空处理的晶片在大气中进行搬送，则有可能引起各种不良状况。具体地说，在CVD处理中形成的金属层上通过自然氧化而生成氧化膜，该氧化膜会在半导体设备中引起导通不良。另外，Low-k膜进行吸湿。甲硅烷基化气体(例如，Si(CH₃)₃-N(CH₃)₂)与水的羟基(OH基)发生反应，生成副反应生成物(Si(CH₃)₃-O-Si(CH₃)₃)。该副反应生成物会将通过蚀刻形成的沟槽(trench：沟)或孔(穴)填埋。

因此，尤其是：在对实施过真空处理的晶片接着实施化学反应处理的情况下，优选使用将该晶片在真空处理之后不暴露于大气中，而是在真空中或者非活性气体环境中进行搬送并将其搬入到化学反应处理用的处理室(腔室)的搬送方法。

此外，一直以来公知的是具有由被维持在真空的外部腔室和收容在该外部腔室内的空间中的内部腔室构成的双重结构腔室的基板处理装置(例如，参照专利文献1)。在该基板处理装置中，将外部腔室内的空间维持在真空并且向内部腔室内的空间导入处理气体，而且，将实施过真空处理后的晶片在外部腔室内的空间中进行搬送并向内部腔室内的空间搬送，由此，能够实现上述的搬送方法。

但是，由于作为处理气体的甲硅烷基化气体价格昂贵，优选降低其使用量。即，谋求使处理气体的使用量尽可能地削减，进一步地引申其含意，谋求使处理气体所导入的内部腔室内的空间容量降低。

另一方面，在具有上述双重结构的腔室的基板处理装置中，为了将晶片搬入到内部腔室内的空间，而在内部腔室的侧壁设置有晶片搬入搬出口，或者，设置有配置在该内部腔室上部的能够对开口部进行开闭的上盖。在这样的内部腔室中，为了搬入晶片，而有必要使用于搬送晶片的臂部经由晶片搬入搬出口或者开口部进入到内部腔室内的空间。这时，为了防止臂部与内部腔室的构成部件接触，而必须确保该臂部与构成部件的间隙，其结果是，存在不能减小内部腔室内的空间容量的问题。

专利文献1：特开61-291965号公报

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够减小内部腔室内的空间容量的基板处理装置。

为了实现上述目的，本发明第一方面所述的基板处理装置，其包括：外部腔室；收容在该外部腔室内的空间中的内部腔室；和向该内部腔室内的空间供给处理气体的气体供给部，其中，所述外部腔室内的空间被减压或者向该空间中填充非活性气体，所述内部腔室具有与其他构成部件构成该内部腔室内的空间的可动构成部件，当通过搬送基板的搬送臂搬入搬出所述基板时，所述可动构成部件从所述搬送臂的可动区域退出。

本发明第二方面所述的基板处理装置是：在第一方面所述的基板处理装置中，上述其他构成部件是用于装载上述基板的装载台，上述可动构成部件是用于覆盖上述装载台的盖状部件，当通过上述搬送臂搬入搬出上述基板时，上述盖状部件从上述装载台离开。

本发明第三方面所述的基板处理装置是：在第一方面所述的基板处理装置中，上述可动构成部件是用于装载上述基板的装载台，上述其他构成部件是用于覆盖上述装载台的盖状部件，当通过上述搬送臂搬入搬出上述基板时，上述盖状部件从上述盖状部件离开。

本发明第四方面所述的基板处理装置是：在第一至第三方面中任一方面所述的基板处理装置中，上述可动构成部件和上述其他构成部件具有加热装置。

本发明第五方面所述的基板处理装置是：在第一方面至第四方面中任一方面所述的基板处理装置中，上述气体供给部具有与上述内部腔室内的空间连接的气体供给管，该气体供给管具有开闭该气体供给管的开闭阀，该开闭阀被配置在上述内部腔室的附近。