[发明专利]薄膜晶体管及其制法、以及使用该薄膜晶体管的显示装置有效

专利信息
申请号: 200810009260.X 申请日: 2008-01-31
公开(公告)号: CN101236993A 公开(公告)日: 2008-08-06
发明(设计)人: 竹口彻 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王岳;刘宗杰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 及其 制法 以及 使用 显示装置
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管,具有:形成在绝缘性衬底上的第一导电层;形成在所述第一导电层上的绝缘膜;第二导电层,形成在所述绝缘膜上,具有隔着所述绝缘膜与所述第一导电层交叉的区域,其特征在于,

所述第一导电层至少具有两种锥角。

2.如权利要求1的薄膜晶体管,其特征在于,

在所述第一导电层上,与所述第二导电层交叉的区域的锥角比与所述第二导电层交叉的区域以外的区域的锥角小。

3.如权利要求1的薄膜晶体管,其特征在于,

在所述第一导电层上,与所述第二导电层交叉的区域的锥角为20°以上且50°以下。

4.如权利要求1的薄膜晶体管,其特征在于,

所述第一导电层是多晶半导体膜,所述第二导电层是栅电极。

5.一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,

具有如下步骤:在绝缘性衬底上形成半导体层;在所述半导体层上形成抗蚀剂;使用包括透过部、半透过部、遮光部的至少两种的光掩膜,对所述抗蚀剂进行曝光;在所述曝光后进行显影;在所述显影后对所述半导体层进行刻蚀之后,除去所述抗蚀剂;以覆盖所述半导体层的方式形成栅极绝缘膜;形成具有隔着所述栅极绝缘膜与所述半导体层交叉的区域的栅电极;形成与所述半导体层连接的源电极和漏电极,

所述显影中残留的抗蚀剂的膜厚在所述半导体层和栅电极交叉的区域比其他区域薄。

6.一种显示装置,其特征在于,

使用权利要求1的薄膜晶体管形成。

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