[发明专利]感测晶片结构、晶片级感测构装结构与制作方法

权利要求书

1.一种具应力释放层的感测晶片结构，其特征在于，包含：

一晶片，具有一晶片表面及相对的一晶片背面，该晶片具有多个感测芯片，每一感测芯片具有一感测部及多个焊垫；以及

一应力释放层，覆盖于该晶片表面，并曝露出该些焊垫与全部的该些感测部，形成多个焊垫区与感测区，该应力释放层的组成物为聚亚酰胺(PI)、苯并环丁烷(BCB)或硅胶。

2.根据权利要求1所述的具应力释放层的感测晶片结构，其特征在于，该晶片的该晶片背面具有多个凹穴，且每一该些凹穴位置对应于每一该些感测区位置。

3.根据权利要求2所述的具应力释放层的感测晶片结构，其特征在于，该晶片背面还具有一强化板。

4.根据权利要求3所述的具应力释放层的感测晶片结构，其特征在于，该强化板对应于该凹穴位置还具有一通孔。

5.一种晶片级感测构装结构，其由多个感测芯片及预留的多个切割道所组成，其特征在于，包含：

一晶片，其具有多个感测芯片及多个切割道所组成，该晶片具有一晶片表面及相对的一晶片背面，于该晶片表面的每一感测芯片具有一主动表面，该主动表面上包含一感测区及多个焊垫；

一应力释放层，位于该晶片的感测芯片的该主动表面上，且露出该些焊垫及全部的该感测区，该应力释放层的组成物为聚亚酰胺(PI)、苯并环丁烷(BCB)或硅胶；

一导电金属层，设于该应力释放层表面且与该些焊垫电性耦接，该导电金属层并形成多个重布焊垫；以及

多个导电凸块，分别电性耦接于每一该些重布焊垫上。

6.根据权利要求5所述的晶片级感测构装结构，其特征在于，该晶片的每一该感测芯片相对于该感测区的一晶片背面上，且对应于该感测区位置具有一凹穴。 

7.根据权利要求6所述的晶片级感测构装结构，其特征在于，该晶片背面还具有一强化板。

8.根据权利要求6所述的晶片级感测构装结构，其特征在于，该强化板对 应于该凹穴位置还具有一通孔。

9.一种晶片级感测构装结构的制作方法，其特征在于，包含以下步骤： 

提供一晶片，其包含有多个感测芯片，该晶片具有一晶片表面，该晶片表面上的每一该感测芯片包含一感测区及多个焊垫； 

形成一应力释放层于该晶片表面上，该应力释放层曝露出该感测区及该些焊垫； 

披覆一光刻胶层于该应力释放层上，以遮蔽该感测区及该些焊垫； 

图案化该光刻胶层，以露出该些焊垫及连接于该些焊垫的多个重布焊垫预留区； 

形成一导电金属层，以于该光刻胶层、该些焊垫区形成一重布金属层，且于该些重布焊垫预留区形成重布焊垫区； 

去除该光刻胶层，以露出该应力释放层及该导电金属层； 

形成一重披覆光刻胶层于该应力释放层及该导电金属层上，以遮蔽该感测区及该些焊垫； 

图案化该重披覆光刻胶层，以打开对应于该重布焊垫区域上方的该重披覆光刻胶层而形成多个孔口；以及 

形成一导电凸块于每一孔口以电性连接该导电金属层。

10.根据权利要求9所述的晶片级感测构装结构的制作方法，其特征在于，该形成一导电凸块于每一孔口以电性连接导电金属层步骤包含一移除该重披覆光刻胶层步骤及一进行回焊制作方法步骤，且其该二步骤顺序可以对调。

11.根据权利要求9所述的晶片级感测构装结构的制作方法，其特征在于，该导电金属层应用电镀、蒸镀或溅镀形成。

12.根据权利要求9所述的晶片级感测构装结构的制作方法，其特征在于，于该形成一导电凸块于每一孔口以电性连接导电金属层步骤之后，还包含一切割该晶片的该感测芯片相邻位置，以形成多个颗粒状的感测芯片构装结构。

13.根据权利要求9所述的晶片级感测构装结构的制作方法，其特征在于，该应力释放层的组成物选自聚亚酰胺、苯并环丁烷及硅胶所组成的族群。

14.根据权利要求9所述的晶片级感测构装结构的制作方法，其特征在于，该导电凸块以电镀方式形成。