[发明专利]发光二极管及其制作方法、发光二极管的底座的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有保护电路的发光二极管，特别涉及一 种具有齐纳二极管的发光二极管、发光二极管的底座及其制作 方法。

背景技术

参阅图1，是以往一发光二极管1，具有一晶粒11、一底座 12、二接脚13及一封胶体14。底座12由塑胶等绝缘材质制成， 并形成有一凹槽121，二接脚13穿设于底座12并延伸至凹槽121 内，晶粒11设置于其中的一接脚13顶面，并电连接二接脚13， 为了防止静电放电(Electrostatic Discharge，ESD)损毁晶粒11， 另一接脚13顶面设置有一齐纳二极管15，齐纳二极管15电连接 二接脚13，且与晶粒11呈反向并联，当静电放电状况发生时， 齐纳二极管15工作于击穿区而提供低阻抗路径，使得流向晶粒 11的瞬间电流可以分流至齐纳二极管15，而达到静电放电保护 的效果。封胶体14则透过灌注环氧树脂于凹槽121而形成，以保 护晶粒11且晶粒11所发出的光线得以穿透封胶体14。

然而，目前发光二极管1的尺寸越来越小，使得凹槽121的 尺寸也随之减小，前述结构导致晶粒11无法设置于凹槽121的正 中央，使得发光二极管1实际出光效率大打折扣。再者，由于齐 纳二极管15通常呈深色，设置于晶粒11旁边会吸收部分晶粒11 所发射的光线，齐纳二极管15吸光吸热使得晶粒11功率损失约 5～10％外，还降低原先设计的光学效果。

有鉴于此，参阅图2及图3，另一以往发光二极管2，具有一 底座21及二晶粒22，该二晶粒22相互并联并分别设置于底座21 的一凹槽211中，一齐纳二极管23反向并联该二晶粒22，并隐藏 设置于底座21中。在制作发光二极管2时，先将已封装的齐纳二 极管23以表面黏着技术(SMT)设于金属支架24上，再将塑料射 出形成底座21，而后设置该二晶粒22，并将环氧树脂填满该二 凹槽211，以封装该二晶粒22。然而，表面黏着技术的齐纳二极 管无法小型化(目前最小尺寸为0402(1.0×0.5mm))，且需采用特 定矩形的齐纳二极管，当塑料射出形成底座21时，塑料流经齐 纳二极管23角落(尖角)处无法紧密包覆齐纳二极管23且容易产 生空穴(包覆空气)，导致成型的底座21出现缺陷，而损及发光 二极管2的信赖度。

发明内容

本发明的目的是在提供一种具有齐纳二极管并提供良好光 学效果的发光二极管及其制作方法。

本发明的另一目的是在提供一种具有齐纳二极管，且安装 于其上的晶粒可提供良好光学效果的发光二极管的底座及其制 作方法。

本发明所述的发光二极管，包含：一底座、一晶粒及一透 明胶体；该底座包括：一金属支架、一齐纳二极管、一导线、 一包覆胶体及一塑料基座；该金属支架具有相互间隔的二支脚； 该齐纳二极管设于其中的一支脚，并电连接该支脚；该导线电 连接该齐纳二极管及另一支脚；该包覆胶体覆盖于该齐纳二极 管及该导线，以完全遮蔽该齐纳二极管及该导线；该塑料基座 容置该二支脚及该包覆胶体，以遮蔽该包覆胶体，并使该二支 脚部分外露于该塑料基座，且该塑料基座形成有一凹槽；该晶 粒用以发出光线，容置于该凹槽，并电连接该二支脚，该透明 胶体设于该凹槽，以将该晶粒封装于该塑料基座上；其中，该 塑料基座具有界定出该凹槽的一底壁面及一环壁面，各该支脚 的一端外露于该底壁面，且另一端延伸至突出该塑料基座；该 晶粒设于另一支脚，且位于该底壁面正中央；该齐纳二极管位 于该支脚靠近该环壁面的一侧。

本发明所述的发光二极管的底座，供该发光二极管的一晶 粒封装其上；该底座包含：一金属支架、一齐纳二极管、一导 线、一包覆胶体及一塑料基座；该金属支架具有相互间隔的二 支脚；该齐纳二极管设于其中的一支脚，并电连接该支脚；该 导线电连接该齐纳二极管及另一支脚；该包覆胶体覆盖于该齐 纳二极管及该导线，以完全遮蔽该齐纳二极管及该导线；该塑 料基座容置该二支脚及该包覆胶体，以遮蔽该包覆胶体，并使 该二支脚部分外露于该塑料基座，且该塑料基座形成有一供容 置该晶粒的凹槽。