[发明专利]电光装置用基板、电光装置及电子设备有效
申请号: | 200810009415.X | 申请日: | 2008-02-01 |
公开(公告)号: | CN101236341A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | 石井达也 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1335;H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 李峥;于静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电光 装置 用基板 电子设备 | ||
技术领域
本发明涉及可以用于例如,液晶装置等电光装置的电光装置用基板、具有该电光装置用基板的电光装置,以及具有该电光装置的例如,液晶投影仪等电子设备的技术领域。
背景技术
作为这种电光装置的一个示例的液晶装置,不仅有直接观看型显示器,例如也用作投射型显示装置的光调制部件(光阀),具有多种用途。特别是在投射型显示装置的情况下,在液晶光阀内置作为遮光部件的遮光膜,遮挡入射光,以便防止由于从光源发出的强光入射液晶光阀,该光使液晶光阀内薄膜晶体管(TFT)的漏电流增大和发生误动作等。对于这样的遮光部件或者遮光膜,例如,专利文献1公开了在TFT的沟道区用起栅极电极作用的扫描线遮光的技术。按照专利文献2,通过在沟道区上形成的多个遮光膜和吸收内面反射光的层,减少到达TFT沟道区的光。专利文献3公开了确保TFT适当动作并可以使扫描线能够变窄的同时,尽量减少入射TFT的沟道区的入射光的技术。
专利文献1:特开20044722号公报
专利文献2:特许3731447号公报
专利文献3:特开2003262888号公报
但是,在用像上述这样的遮光膜遮挡TFT的情况下,在构成遮光膜和TFT的半导体层之间,在3维上看,例如,经过绝缘膜等相隔,从遮光膜附近倾斜入射的入射光还是到达构成TFT的半导体层,恐怕在TFT中发生光漏电流。由于在这样的TFT中的光漏电流,有恐怕产生闪烁、像素不均等不良显示现象,降低图像的质量的技术问题。
发明内容
本发明是针对例如上述问题而形成的,目的在于提供,以有源矩阵方式驱动的液晶装置等电光装置,可以减少在像素切换用的TFT中光漏电流的,可以用于可以显示高质量图像的电光装置的电光装置用基板,及具有像这样的电光装置用基板的电光装置,以及具有像这样的电光装置的电子设备。
本发明的电光装置用基板,为了解决上述问题,具有:基板;多条数据线及多条扫描线,在上述基板上的显示区域内彼此交叉;像素电极,其设置在与上述多条数据线及上述多条扫描线的交叉点对应的位置上;和晶体管,其包含:(i)半导体层,其包含:在上述显示区域中,沿着第1方向具有沟道长度的沟道区;在电气上连接到上述数据线的数据线侧源漏区;在电气上连接到上述像素电极的像素电极侧源漏区;在上述沟道区及上述数据线侧源漏区之间形成的第1结区;和在上述沟道区及上述像素电极侧源漏区之间形成的第2结区,和(ii)栅极电极,其包含:隔着第1绝缘膜在该半导体层的上层侧配置并在上述基板平面上看,重叠在上述沟道区的主体部;从该主体部在上述半导体层侧方沿着上述第1方向向上述第2结区侧延伸,使得至少与上述第2结区邻接的第1延伸部;和从第1延伸部的至少一部分沿着与上述第1方向相交的第2方向延伸并在电气上连接到上述扫描线的第2延伸部,上述第1绝缘膜中,在上述基板平面上看,在与上述第1延伸部重叠的部分,沿着上述第2结区形成长条形的沟;上述第1延伸部具有在上述沟内的至少一部分形成的沟内部分。
采用具有本发明的电光装置用基板的电光装置,在其工作时,例如,在电光装置用基板上,控制从数据线向像素电极的图像信号供应,便可能以所谓有源矩阵方式进行图像显示。另外,作为在电气上连接在数据线及像素电极之间的切换元件的晶体管,根据扫描线提供的扫描信号进行接通/截止,按规定的定时经过晶体管从数据线向像素电极提供图像信号。像素电极,是由例如ITO(氧化铟锡)等透明导电材料组成的透明电极,与数据线及扫描线的交叉点对应,在基板上要变为显示区域的区域设置成多个矩阵状。
晶体管包含具有沟道区、数据线侧源漏区及像素电极侧源漏区的半导体层及与沟道区重叠的栅极电极。
沟道区具有显示区域中沿着第1方向的沟道长度。本发明的「第1方向」表示,例如,基板上规定呈矩阵状的多个像素行的方向,即,多条数据线排列的排列方向或者多条扫描线各自延伸的方向(例如,在后述各图中表示的X方向),或者,例如,基板上呈矩阵状规定的多个像素列的方向,即,多条扫描线排列的排列方向,或者多条数据线各自延伸的方向(例如,在后述各图中表示的Y方向)。
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