[发明专利]液晶显示器下基板的制作方法

说明书

本申请是申请号为200610076371.3的在先申请的分案申请，该在先申请的申请日为2006年4月20日，发明名称为“液晶显示器下基板的制作方法”。

技术领域

本发明是关于一种液晶显示器下基板的制作方法，尤指一种可提高对位精准度的液晶显示器下基板的制作方法。

背景技本

液晶显示器依驱动方式可分为被动式(Passive Matrix，PMLCD)与主动式(Active Matrix，AMLCD)，而所谓的主动式驱动液晶显示器，即指用薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)作为开关元件的显示器。主动式驱动液晶显示器中单一像素的开口率，与来自背光模块中可穿透显示区域的光线多寡有直接关系。以相同的耗电量而言，主动式驱动液晶显示器的开口率越高，越可改善其所表现出的亮度。

一般高开口率的液晶显示器主要设计的概念在利用像素电极与讯号线的重叠，以不透光的讯号线遮蔽像素外或边缘，因为液晶散乱排列的漏光区域。然而，较常用以遮蔽漏光区域的黑色遮光层(black matrix)，在实作上与彩色滤光膜的对位常因不够精准，造成上下或左右的对位偏移，结果往往会因此产生电容变化，而影响画面显示的一致性。

同时，一般在像素电极图样化的过程中，当涂覆于ITO层上的光刻胶，通过光罩的部分遮蔽进行曝光时，基板上所形成的光刻胶图样，会因为曝光过程中边界光线的部分漏光，而使得曝光精准度(precision)降低。如此即造成像素电极图样与栅极讯号线图样边界的部分重叠位置偏移，或是像素电极图样与源极讯号线图样边界的部分重叠位置偏移。

如图所示，图1a为一像素区域平面图，为了达到高开口率，一般透明电极100会设计部分重叠于讯号线200的区域上，然而由于像素电极光罩的分辨率，以及层与层对位精度，侧蚀量变化等考量，讯号线200的宽度不能太小，否则就会出现透明像素电极100与讯号线200重叠处漏光的问题。图1b是图1a中A-A’线段的剖面图，其中，当透明电极层100与第二金属层300的对位偏移时，将使上下或左右的各材料层间对位不准，形成重叠部分不一致，而产生不同值的寄生电容(parastic capacitance)400，401，而造成总寄生电容值不稳定，就会影响到显示画面的一致性。

尤其在利用步进曝光机(stepper exposing device)进行光刻胶的连续曝光时，每一次的曝光，会使对位不准确的程度逐渐累积，而造成基板上寄生电容也随之变化。

因此，在要求提高开口率的同时，如能同时减少寄生电容效应，将可使主动式驱动液晶显示器的显示效果更为提升。

发明内容

本发明液晶显示器下基板的制作方法是利用背面曝光的方式，搭配光罩使用并进行曝光，形成像素电极。本方法可使透明像素电极与讯号线之间的重叠量保持定值，而不会随着层与层间对位的问题而发生偏差，进而提升显示稳定性。

同时，利用本发明方法制备液晶显示器下基板，可视需要调整讯号线的宽度，而不再由透明电极层与讯号线的对位精度，或是透明电极层的光罩分辨率来决定，因此可得到较高的开口率。

于本发明的一态样中，液晶显示器下基板的制作方法包括下列步骤：(a)于一基板的一第一表面上形成一图样化的第一金属层，一第一绝缘层，一图样化的第二金属层以及一第二绝缘层，其中第一金属层为第一绝缘层所覆盖，第二金属层位于第一绝缘层之上，且第二金属层为第二绝缘层所覆盖；(b)于第二绝缘层上形成一透明电极层与一负型光刻胶层，其中透明电极层是介于第二绝缘层与负型光刻胶层之间；(c)自基板的一第二表面进行曝光；(d)利用一光罩遮蔽该负型光刻胶层，并自该第一表面进行曝光；以及(e)移除未反应的负型光刻胶，并进行刻蚀以形成一图样化的透明电极。

于上述方法中，较佳于步骤(e)之后更可包括一步骤(f)，移除所有负型光刻胶。同时，步骤(a)的第一金属层较佳是可形成为栅极金属层或栅极导电层。本实施方式中，第一金属层与第二金属层的材料不限，较佳可为不透光的金属材料。