[发明专利]一种具有共平面电极表面的存储单元装置及其制造方法

权利要求书

1、一种存储装置，包含：

具有顶表面及多个过孔的位线；

具有个别的顶表面的多个第一电极，而该个别的顶表面与该位线的该顶表面共平面，而该第一电极延伸穿过在该位线中对应的过孔；

多个绝缘构件，而该些绝缘构件位于对应的过孔内并为具有厚度的环形，而该绝缘构件介于该对应的第一电极与作为第二电极的该位线的部位之间；以及

存储材料层延伸穿过该绝缘构件以接触该位线及该第一电极的该些顶表面。

2、如权利要求1所述的存储装置，更包含：

在该位线下方的多个存储单元的存取电路，该存取电路包含导电接点阵列，其中在该多个第一电极中的该第一电极与在该导电接点阵列中对应的导电接点电性耦接。

3、如权利要求1所述的存储装置，其中每一该第一电极具有小于用来形成该存储装置的光刻工艺的最小特征尺寸的宽度。

4、如权利要求1所述的存储装置，其中该存储材料包含选自于以下群组中的一个或多个的结合：锗、锑、碲、硒、铟、镓、铋、锡、铜、钯、铅、硫、硅、氧、磷、砷、氮及金。

5、如权利要求1所述的存储装置，其中每一该第一电极及该位线包含选自以下群组中的元素：钛、钨、钼、铝、铜、铂、铱、镧、镍、氮、氧和钌及其结合。    

6、如权利要求1所述的存储装置，其中每一该第一电极及该位线包含钛及氮。

7、如权利要求1所述的存储装置，其中该存储材料层具有介于约1nm至100nm的厚度。

8、一种用来制造存储装置的方法，而该方法包含：

形成具有顶表面及多个过孔的位线；

形成具有个别的顶表面的多个第一电极，而该个别的顶表面与该位线的该顶表面共平面，而该第一电极延伸穿过在该位线中所对应的过孔；

形成多个绝缘构件，而该绝缘构件位于对应的过孔内，并为具有厚度的环形，而该绝缘构件介于该对应的第一电极与作为第二电极的该位线的部位之间；以及

形成一层存储材料延伸穿过该绝缘构件以接触该位线及该第一电极的该顶表面。

9、如权利要求8所述的方法，更包含：

在该位线下方，形成多个存储单元的存取电路，该存取电路包含导电接点阵列，其中在该多个第一电极的该第一电极与在该导电接点阵列中对应的导电接点电性耦接。

10、如权利要求8所述的方法，其中每一该第一电极具有小于用来形成该存储装置的光刻工艺的最小特征尺寸的宽度。

11、如权利要求8所述的方法，其中该存储材料包含选自于以下群组中的一个或多个的结合：锗、锑、碲、硒、铟、镓、铋、锡、铜、钯、铅、硫、硅、氧、磷、砷、氮及金。

12、如权利要求8所述的方法，其中每一该第一电极及该位线包含选自以下群组中的元素：钛、钨、钼、铝、铜、铂、铱、镧、镍、氮、氧和钌及其结合。

13、如权利要求8所述的方法，其中该存储材料层具有介于约1nm至100nm的厚度。

14、一种用来制造存储装置的方法，而该方法包含：

提供多个存储单元的存取电路，而该存取电路具有导电接点阵列的顶表面；

形成多个第一电极在该存取电路的该顶表面上，其中在该多个第一电极中的该第一电极连接对应的导电接点；

形成顺形介电材料层在该第一电极及该存取电路的顶表面上；

形成导电材料层在该顺形介电材料层上；

平坦化该介电材料层及该导电材料层以露出该第一电极的顶表面，而该第一电极的该顶表面与该导电材料层的顶表面共平面，因此在该导电层内形成多个过孔及由该介电材料层形成多个绝缘构件，其中该第一电极延伸穿过该导电材料层内对应的过孔，以及位于对应过孔内的该绝缘构件为具有厚度的环形，而该绝缘构件介于该对应的第一电极及该导电材料层之间；以及

形成存储材料层在该导电材料层的该顶表面、绝缘构件、及该第一电极的该顶表面上；以及

图案化该导电材料层及该存储材料层以形成包含导电材料及多个存储材料条的多个位线，而每一存储材料条覆盖在对应的位线之上。

15、一种用来制造存储装置的方法，而该方法包含：

提供多个存储单元的存取电路，而该存取电路具有导电接点阵列的顶表面；

形成第一介电材料层在该存取电路的该顶表面；

形成导电材料层在该第一介电材料层上；

形成多个过孔在该导电材料层及该第一介电材料层内，因此露出该导电接点的顶表面；

形成第二介电材料层在该导电材料层上及在该多个过孔之内，该第二介电材料层定义在该过孔内的第一开口；

非等向蚀刻该第二介电材料层以形成多个绝缘构件，该绝缘构件在对应的过孔内及定义延伸至对应的导电接点的顶表面的第二开口；

形成第一电极在该第二开口之内，而该第一电极具有与该导电材料层的顶表面共平面的个别顶表面；

形成存储材料层在该导电材料层的该顶表面、绝缘构件、及该第一电极的该顶表面上；以及

图案化该导电材料层及该存储材料层以形成包含导电材料及多个存储材料条的多个位线，而每一存储材料条覆盖在对应的位线之上。