[发明专利]互补型金属氧化物半导体装置、半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种互补型金属氧化物半导体装置，具有至少一N型金属氧化物半导体晶体管，每个晶体管具有一源极区、一漏极区、与一栅极结构，该互补型金属氧化物半导体装置包含：

一第一张应力层，置于该N型金属氧化物半导体晶体管的源极区与该N型金属氧化物半导体晶体管的漏极区上；以及

一第一压应力层，位于该N型金属氧化物半导体晶体管的栅极结构上方。

2.如权利要求1所述的互补型金属氧化物半导体装置，还包含：至少一P型金属氧化物半导体晶体管；一第二张应力层，置于该P型金属氧化物半导体晶体管的栅极结构上方；以及一第二压应力层，形成于该P型金属氧化物半导体晶体管的源极区与该P型金属氧化物半导体晶体管的漏极区的上方。

3.一种互补型金属氧化物半导体装置，具有至少一P型金属氧化物半导体晶体管，每个晶体管具有一源极区、一漏极区、与一栅极结构，该互补型金属氧化物半导体装置包含：

一第一张应力层，置于该N型金属氧化物半导体晶体管的源极区与该P型金属氧化物半导体晶体管的漏极区上；以及

一第一压应力层，位于该P型金属氧化物半导体晶体管的栅极结构上方。

4.一种半导体装置，包含：

一衬底；

至少一晶体管，形成于该衬底上；

一接触孔蚀刻停止层，形成于该晶体管上方；

一层间介电层，形成于该接触孔蚀刻停止层上方；以及

一层间介电应力源层，形成于该层间绝缘层的上方。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中该至少一晶体管为P型金属氧化物半导体晶体管或N型金属氧化物半导体晶体管。

6.如权利要求4所述的半导体装置，其中该至少一晶体管包含形成于一P型金属氧化物半导体晶体管旁的一N型金属氧化物半导体晶体管。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中该层间介电应力源层形成于该N型金属氧化物半导体晶体管与该P型金属氧化物半导体晶体管的上方。

8.一种半导体装置的制造方法，包含：

提供一衬底；

形成一晶体管于该衬底上；

形成一蚀刻停止层于该晶体管上方；

形成一层间介电层于该蚀刻停止层上方；以及

形成一层间介电应力源层于该层间绝缘层的上方。

9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中该晶体管为一N型金属氧化物半导体晶体管。

10.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，还包含形成一第二晶体管于该晶体管旁。

11.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中该第二晶体管为一P型金属氧化物半导体晶体管。

12.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中该蚀刻停止层覆盖该N型金属氧化物半导体晶体管与该P型金属氧化物半导体晶体管。