[发明专利]抛光液

权利要求书

1.一种用于抛光半导体集成电路的阻挡层的抛光液，所述抛光液包含：

双季铵阳离子；

腐蚀抑制剂；和

胶体二氧化硅，其中

所述抛光液的pH值在2.5至5.0的范围内。

2.根据权利要求1所述的抛光液，其中所述双季铵阳离子是由下面的式(1)表示的化合物引入的阳离子，

式(1)

其中，在式(1)中：R¹至R⁶各自独立地表示含有1至20个碳原子的烷基、链烯基、环烷基、芳基或芳烷基，并且基团R¹至R⁶中的一对或多对可以彼此结合；并且X表示含有1至10个碳原子的亚烷基、亚链烯基、亚环烷基或亚芳基，或者表示它们中两个以上基团的组合；并且nA^m-表示抗衡阴离子，其中n和m各自独立地表示1或2的整数，并且其中当n为1时，m为2，以及当n为2时，m为1。

3.根据权利要求1所述的抛光液，其中相对于所述抛光液的总量，所述胶体二氧化硅的浓度为0.5质量％至15质量％。

4.根据权利要求1所述的抛光液，其中所述胶体二氧化硅的平均初级粒子大小在20nm至50nm的范围内。

5.根据权利要求1所述的抛光液，其中所述腐蚀抑制剂是选自由下列化合物组成的组中的至少一种化合物：1，2，3-苯并三唑、5，6-甲基-1，2，3-苯并三唑、1-(1，2-二羧基乙基)苯并三唑、1-[N，N-二(羟基乙基)氨基甲基]苯并三唑和1-(羟基甲基)苯并三唑。

6.根据权利要求1所述的抛光液，还包含含有羧基并且由下面的式(2)表示的化合物，

式(2)

R⁷-O-R⁸-COOH

其中，在式(2)中，R⁷和R⁸各自独立地表示烃基，并且R⁷和R⁸可以结合在一起形成环状结构。

7.根据权利要求1所述的抛光液，还包含阴离子表面活性剂或阳离子表面活性剂。

8.根据权利要求1所述的抛光液，还包含氧化剂。

9.根据权利要求1所述的抛光液，还包含螯合剂。

10.根据权利要求2所述的抛光液，其中相对于所述抛光液的总量，由式(1)表示的化合物的量为0.00001质量％至1质量％。

11.根据权利要求2所述的抛光液，其中由nA^m-表示的抗衡阴离子选自：硝酸根离子、柠檬酸根离子、磷酸根离子、草酸根离子、邻苯二甲酸根离子、马来酸根离子、富马酸根离子、酒石酸根离子、苹果酸根离子、甘醇酸根离子、氢氧根离子、乙酸根离子、三氟乙酸根离子、乳酸根离子、硫酸根离子、硅酸根离子、对甲苯磺酸根离子、苯磺酸根离子、甲磺酸根离子、三氟甲磺酸根离子、乙磺酸根离子、二甘醇酸根离子、2，5-呋喃二甲酸根离子、2-四氢呋喃甲酸根离子、硼酸根离子、四氟硼酸根离子和六氟磷酸根离子。