[发明专利]液晶显示装置无效
申请号: | 200810009787.2 | 申请日: | 2008-02-14 |
公开(公告)号: | CN101246291A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
发明(设计)人: | 吉田典弘;武田有广;广泽仁;山田义孝 | 申请(专利权)人: | 东芝松下显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 沈昭坤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 | ||
技术领域
本发明一般涉及液晶显示装置,尤其涉及垂直对齐模式的液晶显示装置。
背景技术
液晶显示装置具有诸如厚度小、重量轻和功耗低等多种特征,并被应用于各种用途,例如,OA设备、信息终端、时钟以及TV。尤其是,包括薄膜晶体管(TFT)的液晶显示装置具有高响应率,因此,它用作显示大量信息的TV、计算机等的监视器。
为了提高显示速度,已经研究取代常规显示模式的使用向列型液晶的OCB模式、VAN(垂直对齐向列)模式、HAN(混合对齐向列)模式和II对齐模式;以及使用近晶型液晶的SSFLC(表面稳定铁电液晶)模式和AFLC(反铁电液晶)模式。
对于这些显示模式,尤其是VAN模式具有比常规的TN(扭曲向列)模式高的响应速度。VAN模式的另外特征是由于垂直对齐而不需要可导致诸如静电击穿之类的缺陷的摩擦工艺。需要特别注意多域VAN模式,其中关于视角的补偿设计相对简单(参见,例如,日本专利第2565639号)。
根据显示方法将液晶显示装置分成使用环境光的反射液晶显示装置以及使用背光的透射液晶显示装置。此外,已知既采用反射液晶显示装置结构又采用透射液晶显示装置结构的透反射液晶显示装置。
在透反射液晶显示装置中,在光穿过透射显示区和反射显示区之间的液晶层时发生相位差。已经提出了用于消除这一相位差的各种手段(参见,例如,日本专利申请特开第2006-78742)。
然而,关于上述的液晶显示装置,在液晶显示装置中像素电极的短侧宽度约为50μm或更小的情况下,可能发生由于设置在透射显示区中的凸出引起孔径比损失或由于凸出引起的绝缘层的一部分处的漏光。
此外,因为在设置于对衬底上的对电极缺失图案的区域中没有设置对电极以控制对齐,所以该区域中的电场变得比其它区域低。结果,即使在施加电压时,缺失图案区的透射率变得低于其它区域。
此外,当施加电压时,电极缺失部分中心部分附近区域变成液晶分子对齐的特定点,并且该区域转变成光学上的黑暗状态。简言之,在电极缺失部分的中心部分附近,在某些情况下透射率减小并且可发生亮度损失。
另一方面,在设置了设置于像素电极中的接触孔的区域中,由于该凹陷液晶层的厚度变得与期望值不同。因此,在设置了接触孔的区域和其它区域之间发生光的相位差。因此,在设置了接触孔的区域中不能获得正确的光学特性。
此外,可能有这样的情况:由于所述凹陷的影响,在设置接触孔的区域中液晶分子的对齐状态变得不稳定。结果,当显示图像时,可能发生屏幕图像质量的劣化,诸如余辉或粗糙。
此外,如果在电极缺失图案的中心部分和设置接触孔的部分之间存在位置上的位移,则由于相应的部件引起的光学损失将被结合起来,并且液晶显示装置的光学特性可能劣化。
发明内容
考虑到上述的问题进行了本发明,并且本发明的目的是提供一种抑制光学特性劣化和显示屏幕质量降低的液晶显示装置。
根据本发明的一个方面,提供了一种液晶显示装置,它包括:阵列衬底;设置在阵列衬底上的多根信号线;与多根信号线垂直的多根扫描线;设置在信号线和扫描线之间的交叉部分并连接到信号线和扫描线的开关元件;设置在阵列衬底上的矩阵中的像素电极和存储电容电极;连接像素电极和开关元件或开关元件和存储电容电极的接触孔;设置成与阵列衬底相对的对衬底,并在其间形成间隙;形成于对衬底上的对电极;以及保持在阵列衬底和对衬底之间并由具有负介电常数各向异性的液晶形成的液晶层,对电极具有设置在与接触孔相对位置处的电极缺失部分。
本发明可提供一种抑制光学特性劣化及显示屏幕质量降低的液晶显示装置。
本发明的另外的目的和优点将在以下的描述中阐述,并将从以下的描述中部分显而易见,或可通过本发明的实施来理解。本发明的目的和优点可借助于下文具体指出的手段和结合来实现并获得。
附图说明
包括于此并构成说明书的一部分的附图示出本发明的实施例,并且和上面给出的一般描述和以下给出的实施例的详细描述一起用于解释本发明的原理。
图1是示出根据本发明的第一实施例液晶显示装置的示例的立体图;
图2是用于描述图1所示的液晶显示装置的结构的示例的视图;
图3是用于详细描述图1所示的液晶显示装置的结构的示例的横截面图;
图4示出在图1所示的液晶显示装置中的扫描线和信号线之间的交叉点附近的阵列衬底的横截面结构的示例;
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