[发明专利]存储器系统及其数据读取方法

说明书

本申请要求于2007年2月13日提交到韩国知识产权局的第 10-2007-0014966号韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用包含于此。

                         技术领域

本发明涉及一种存储器系统，更具体地讲，涉及一种NAND闪速存储器 系统及其数据读取方法。

                         背景技术

在许多计算系统中，软件模块或程序在“原地”被执行。这种技术通常 称为XIP(芯片内执行)，因为移动存储器系统中小的主存储器大小和短的启 动时间，所以通过XIP在闪速存储器中直接执行程序。XIP应用可在没有将 执行代码从闪速存储器传送到RAM的情况下在闪速存储器中被实现。XIP 技术使对RAM的存储需求降低，并使许多应用程序的多执行成为可能。因 为NAND闪速存储器在XIP使能环境下通常不可操作，所以NOR闪速存储 器通常用于XIP应用。

正在进行许多研究以将XIP应用提供给NAND闪速存储器。制造配置有 XIP功能的NAND闪速存储器以允许其在随机可存取模式下操作。

                         发明内容

本发明的示例性实施例提供一种能够执行随机存取功能的NAND闪速 存储器系统及其数据读取方法。

根据本发明的示例性实施例，一种存储器系统包括：存储器和操作以控 制所述存储器的存储器控制器。所述存储器包括：随机可存取存储器，包括 能够随机存取的存储器单元阵列；NAND闪速存储器；和选择电路，在所述 随机可存取存储器和所述NAND闪速存储器之间进行选择。

在示例性实施例中，所述存储器被集成在一个芯片中。

在示例性实施例中，所述随机可存取存储器以页为单位编入数据，并且 在随机存取模式下读取数据。

在示例性实施例中，所述随机可存取存储器的存储器单元阵列部分地使 用NAND闪速存储器单元阵列。

在示例性实施例中，所述随机可存取存储器具有构造为包括至少一条字 线的串的存储器单元阵列。

在示例性实施例中，所述随机可存取存储器具有配置为包括字线的第一 串结构的存储器单元阵列。

在示例性实施例中，在编入数据时所述随机可存取存储器使用所述 NAND闪速存储器的页缓冲器电路。

在示例性实施例中，所述随机可存取存储器还包括用于随机存取和读取 数据的灵敏放大器电路。

在示例性实施例中，所述NAND闪速存储器包括具有第二串结构的32 条字线的存储器单元阵列。

在示例性实施例中，所述随机可存取存储器的第一串连接到第一位线， 所述NAND闪速存储器的第二串连接到第二位线。所述选择电路连接第一位 线和第二位线。

在示例性实施例中，在将数据编入所述随机可存取存储器时，所述选择 电路连接第一位线和第二位线。

在示例性实施例中，在从所述随机可存取存储器读取数据时，所述选择 电路通过将第一位线和第二位线断开来进行随机存储模式。

在示例性实施例中，所述选择电路使用高压晶体管以连接第一位线和第 二位线。

在示例性实施例中，所述随机可存取存储器和所述NAND闪速存储器共 享数据线。

在示例性实施例中，所述选择电路包括数据线选择电路，所述数据线选 择电路用于将数据线与所述随机可存取存储器连接或与所述NAND闪速存储 器连接。

根据本发明的示例性实施例，一种存储器系统包括存储器和操作以控制 所述存储器的存储器控制器。所述存储器包括：随机可存取存储器，包括能 够随机存取的存储器单元阵列；和NAND闪速存储器。所述随机可存取存储 器使用所述NAND闪速存储器来按页编入数据。

在示例性实施例中，所述随机可存取存储器具有配置为包括字线的第一 串结构的存储器单元阵列。

在示例性实施例中，所述NAND闪速存储器包括具有第二串结构的32 条字线的存储器单元阵列。

在示例性实施例中，所述随机可存取存储器的第一串和所述NAND闪速 存储器的第二串连接到相同的位线。

在示例性实施例中，所述随机可存取存储器和所述NAND闪速存储器共 享用于激活位线的Y解码器。