[发明专利]氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的合成方法无效
| 申请号： | 200810010444.8 | 申请日： | 2008-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN101513997A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 刘畅;张艳丽;王兆钰;成会明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;C01B33/12;H01B7/00 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 硅包覆单壁碳 纳米 电缆 结构 合成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的合成方法，其特征在于：采用阴、阳极直流电弧放电的方式原位制备，阴极是一根直径为10mm的石墨棒；阳极为由石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗性阳极，阳极原料中：催化剂选自铁、钴、镍之一种或两种以上混合，加入量为1.0-10.0at.％；硫化铁做生长促进剂，加入量为0.1-4.0at.％；硅粉的加入量为2at.％-7at.％；余量为石墨；缓冲气体为50-500Torr氢气，直流电流为30-200A，起弧放电后，石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂原料共蒸发，原位合成出氧化硅包覆一根或几根单壁碳纳米管纳米电缆结构。
2.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述阴极与阳极间成20～90°的角度，阴极与阳极间的最短距离为0.5～2mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所，未经中国科学院金属研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810010444.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种制备超纯氧化镁粉体的方法
- 下一篇：卷筒拉伸式全密闭环保苫盖装置
